GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
2.84
2.24
SFH 405
2.7
2.5
2.1
1.5
2.54 spacing
Collector (SFH 305)
Cathode (SFH 405)
1.15
0.90
1)
0.5
0.4
Approx. weight 0.02 g
GEO06137
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Hohe Strahlstärke
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Gruppiert lieferbar
q
Gehäusegleich mit SFH 305
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
SFH 405
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P835
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
High radiant intensity
q
High pulse handling capability
q
Available in groups
q
Same package as SFH 305
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
Punched tape-readers
q
Industrial electronics
q
For control and drive ciruits
Gehäuse
Package
Miniatur-Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz,
linsenförmig, Anschluß im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung: abgeschrägte Anschlüsse
Miniature lead frame, transparent epoxy resin, solder
tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode marking:
bevelled leads
1
1997-11-01
Semiconductor Group
feo06317
1) Detaching area for tools,
flash not true to size.
3.5
3.0
0...5˚
3.6
3.2
3.0
2.5
INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
