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    IN74HC03AN 参数 Datasheet PDF下载

    IN74HC03AN图片预览
    型号： IN74HC03AN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 四2输入与非门与漏极开路输出高性能硅栅CMOS [Quad 2-Input NAND Gate with Open-Drain Outputs High-Performance Silicon-Gate CMOS]
    分类和应用： 栅极
    文件页数/大小： 5 页 / 227 K
    品牌： INTEGRAL [ INTEGRAL CORP. ]
     浏览型号IN74HC03AN的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IN74HC03AN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IN74HC03AN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IN74HC03AN的Datasheet PDF文件第5页  
    IN74HC03A
    AC电气特性（ CL = 50pF的，输入TR = TF = 6.0纳秒）
    V
    CC
    符号
    参数
    V
    保证限额
    25
    °C
    to
    -55°C
    120
    24
    20
    75
    15
    13
    10
    10
    ≤85°C
    ≤125°C
    单位
    t
    PLZ
    , t
    PZL
    最大传输延迟，输入A或B
    输出Y（图1和图2）
    最大输出转换时间，任何输出
    （图1和图2）
    最大输入电容
    最大三态输出电容
    （输出高阻抗状态）
    功率耗散电容（每门）
    用于确定空载动态功率
    消费：
    P
    D
    =C
    PD
    V
    CC2
    F +我
    CC
    V
    CC
    2.0
    4.5
    6.0
    2.0
    4.5
    6.0
    -
    -
    150
    30
    26
    95
    19
    16
    10
    10
    180
    36
    31
    110
    22
    19
    10
    10
    ns
    t
    THL
    ns
    C
    IN
    C
    OUT
    pF
    pF
    典型的25°C ，V
    CC
    =5.0 V
    8.0
    pF
    C
    PD
    。图1的开关波形
    图2.测试电路
    膨胀逻辑图
    （设备的1/4）
    *
    是指漏极开路输出
    4

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