半导体
2N6975, 2N6976,
2N6977, 2N6978
5A ， 400V和500V N沟道IGBT的
包
JEDEC TO- 204AA
底部视图
辐射源
集热器
（法兰）
1995年4月
特点
• 5A ， 400V和500V
• V
CE （ON）的
2V
• T
FI
1µs, 0.5µs
•低通态电压
•快速开关速度
•高输入阻抗
门
应用
•电源
•电机驱动器
•保护电路
端子图
N沟道增强模式
C
G
描述
的2N6975 ， 2N6976 ， 2N6977和2N6978是n沟道
增强型的绝缘栅双极晶体管（IGBT）
设计用于高电压，低导通损耗的应用，如
开关稳压器和电机驱动器。这些类型的可被操作
直接从低功耗集成电路。
E
包装供货情况
产品型号
2N6975
2N6976
2N6977
2N6978
包
TO-204AA
TO-204AA
TO-204AA
TO-204AA
BRAND
注：订货时，使用整个零件编号。
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C，除非另有规定ED 。
2N6975/2N6977
（注1 ）
400
400
5
±20
5
10
100
0.8
-55到+150
2N6976/2N6978
（注1 ）
500
500
5
±20
5
10
100
0.8
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CES
集电极 - 栅极电压（R
GE
= 1MΩ ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
CGR
反向集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
CES （ REV ）。
栅极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GE
连续集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C
集电极电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
功耗总在T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
> +25
o
C
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
注意：
1. JEDEC注册的值。
哈里斯半导体IGBT产品受以下一项或美国专利更多：
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的I.C.处理程序。
版权
©
哈里斯公司1995年
网络文件编号
2297.2
3-1
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
