HS-6617RH
TM
数据表
2000年8月
网络文件编号
3033.4
抗辐射2K ×8 CMOS PROM
Intersil的HS- 6617RH是一种抗辐射CMOS 16K
PROM ， 8位格式组织在2K字。该芯片是
采用加固的CMOS工艺辐射制造，
并且被设计为功能等效
HM- 6617 。同步电路设计技术相结合
与CMOS工艺来给这个设备高速
性能具有非常低的功耗。
在提供芯片的地址锁存器，可以方便
与使用最近的代微处理器接口
复用地址/数据总线结构，如
HS- 80C85RH或HS - 80C86RH 。输出使能控制
（ G）简化网络连接的ES微处理器系统，允许接口
输出数据总线的控制，此外，芯片使能
控制权。在HS- 6617RH的同步操作是理想
对于高速的流水线架构的系统，并在
同步逻辑的替代函数。
应用为HS- 6617RH CMOS PROM包括低
电源基于微处理器的仪器和
通信系统中，远程数据采集和
处理系统中，处理器的控制存储器，和
同步逻辑的替代品。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-95708 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
特点
•电筛选，以SMD ＃ 5962-95708
•符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
•总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100拉德（SI ）（最大）
•闭锁免费。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >1 ×10
12
RAD （SI ） / S
•现场可编程
•功能上等同于HM- 6617
•引脚兼容于英特尔2716
•低待机功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.1MW （最大）
•较低的工作功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 137.5mW /兆赫（最大）
•快速存取时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100ns （最大值）
• TTL兼容输入/输出
•同步操作
•在芯片地址锁存器
•三态输出
• Nicrome熔断器
•易于与微处理器的接口
•军用温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
订购信息
订购数量
5962R9570801QJC
5962R9570801QXC
5962R9570801VJC
5962R9570801VXC
HS1-6617RH/PROTO
HS9-6617RH/PROTO
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-6617RH-8
HS9-6617RH-Q
HS1-6617RH-Q
HS9-6617RH-Q
HS1-6617RH/PROTO
HS9-6617RH/PROTO
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
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