[ INFINEON ] IPD15N06S2L-64 Datasheet下载

厂商:

INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

的OptiMOS功率三极管

OptiMOS Power-Transistor

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IPD15N06S2L64ATMA1 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IPD15N06S2L64ATMA1 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
64 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 14µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
13nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
354pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
47W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,500
其它名称
IPD15N06S2L-64 IPD15N06S2L-64-ND IPD15N06S2L64ATMA1TR SP000252162
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

[ INFINEON ] IPD160N04LG Datasheet下载

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INFINEON TECHNOLOGIES AG

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描述:

OptiMOS3功率三极管

OptiMOS3 Power-Transistor

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[ INFINEON ] IPD16CN10NG Datasheet下载

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INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

OptiMOS®2功率三极管

OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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[ INFINEON ] IPD16CN10NG Datasheet下载

厂商:

INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

OptiMOS2功率三极管

OptiMOS2 Power-Transistor

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[ INFINEON ] IPD16CNE8NG Datasheet下载

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INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

OptiMOS®2功率三极管

OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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[ INFINEON ] IPD170N04NG Datasheet下载

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INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

OptiMOS3功率三极管

OptiMOS3 Power-Transistor

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[ INFINEON ] IPD180N10N3G Datasheet下载

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INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

OptiMOSTM3功率三极管

OptiMOSTM3 Power-Transistor

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[ INFINEON ] IPD200N15N3G Datasheet下载

厂商:

INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM )

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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IPD15N06S2L64ATMA2 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IPD15N06S2L64ATMA2 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
64 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 14µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
13nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
354pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
47W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,500
其它名称
IPD15N06S2L64ATMA2TR SP001063644
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

IPD15N06S2L64ATMA2 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IPD15N06S2L64ATMA2 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
64 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 14µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
13nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
354pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
47W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
1
其它名称
IPD15N06S2L64ATMA2CT
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
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