IPS604-xxI
电气特性
（ TJ = 25
℃
除非另有规定编）
符号
测试条件
03
I
GT
V
D
= 6V ř
L
= 100Ω
V
GT
V
D
=V
DRM ，
R
L
= 3.3KΩ ，R
GK
= 1KΩ
TJ = 110
℃
I
G =
1毫安ř
GK
= 1KΩ
I
T
= 50毫安ř
GK
= 1KΩ
I
T
= 8A吨P = 380uS TJ = 25
℃
V
D
= 67% V
DRM
R
GK
= 1KΩ TJ = 110
℃
V
D
= V
DRM
R
GK
= 1KΩ TJ = 25
℃
I
DRM
V
D
= V
DRM
R
GK
= 1KΩ TJ = 110
℃
V
R
= V
RRM
R
GK
= 1KΩ TJ = 25
℃
I
RRM
V
D
= V
RRM
R
GK
= 1KΩ TJ = 110
℃
典型值
最大
民
最大
最大
典型值
最大
民
最大
最大
最大
最大
0.6
0.8
0.2
6
5
1.4
1.8
10
5
0.1
5
0.1
V
民
最大
10
30
IPS604-xxI
05
20
50
06
30
60
08
50
80
单位
uA
V
GD
I
L
I
H
V
TM
dv / dt的
V
mA
mA
V /美
V /美
uA
mA
uA
mA
热阻
符号
R
th
（J - C ）
参数
结到外壳
TO-251
价值
2.8
单位
℃/W
4F ，畅赢了B / D， 269 Hyoje洞，钟路区，首尔，韩国110-480
电话： + 82-70-7574-2839传真： + 82-2-6280-6382 ， sales@ipsemiconductor.com
2
IPS [ IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
