IPS820-xxF
电气特性
( TJ = 25
℃
除非另有规定编)
IPS820-xxB
符号
测试条件
30
所需的直流栅极电流触发25℃
在 - 40 ℃
在125˚
所需的直流电压来触发
在25 ℃
(阳极电源= 6V ,电阻性负载) ,在 - 40 ℃
在125˚
直流栅极电压不触发
30
55
15
1.3
2.0
1.1
0.2
70
50
300
单位
I
GT
最大
mA
V
GT
最大
V
V
GD
I
L
I
H
dv / dt的
(
TJ = 125 ℃ ,V
DRM
=额定值)
I
G =
1.2 I
GT
保持电流
V
D
= 67% V
DRM
门敞开着TJ = 125
℃
最大
最大
最大
民
V
mA
mA
V /美
静态特性
符号
V
TM
测试条件
I
TM
= 30A , TP = 380uS
V
D
= V
DRM
TJ = 250
TJ = 250
TJ = 125 °
价值
(最大)
1.6
5
2
单位
V
uA
mA
I
DRM /
I
RRM
V
R
= V
RRM
热阻
符号
R
th
(J - C )
参数
结到外壳
TO-220F
价值
4.0
单位
℃/W
4F ,畅赢了B / D, 269 Hyoje洞,钟路区,首尔,韩国110-480
电话: + 82-70-7574-2839传真: + 82-2-6280-6382 , sales@ipsemiconductor.com
2