IPT04Q08-xxB
电气特性
( TJ = 25
℃
除非另有规定编)
IPT04Q08-xxB
符号
测试条件
象限
TE
DE
5
10
1.5
0.2
10
最大
II
20
最大
民
民
15
10
1
20
15
10
1
40
25
10
5
40
25
10
5
10
20
20
SE
10
10
AE
10
25
I – II – III
IV
所有
5
5
单位
I
GT
V
D
= 12V ř
L
= 30Ω
V
GT
V
GD
V
D
=V
DRM ,
R
L
=3.3KΩ,
TJ = 125
℃
I
G =
1.2 I
GT
I
T = 500毫安
最大
最大
民
mA
V
V
所有
I - III - IV
I
L
I
H
dv / dt的
( dv / dt的)C
mA
mA
V /美
V /美
V
D
= 67% V
DRM
门敞开着TJ = 125
℃
(的dV / dt )C = 0.8A / MS TJ = 125
℃
静态特性
符号
V
TM
I
DRM
I
RRM
测试条件
I
TM
= 5.5A ,T P = 380uS
V
D
= V
DRM
V
R
= V
RRM
TJ = 25
℃
TJ = 25
℃
TJ = 125
℃
值(最大值)
1.6
5
1
单位
V
uA
mA
热阻
符号
R
th
(J - C )
参数
结到外壳( AC)
价值
2.6
单位
℃/W
4F ,畅赢了B / D, 269 Hyoje洞,钟路区,首尔,韩国110-480
TEL : + 82-70 - 7574 - 2839 ,传真: + 82-2-6280-6382 , sales@ipsemiconductor.com
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