IPT16Q06-CEA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IPT16Q06-CEA
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内容描述：	高的电流密度，由于增加一倍台面技术 [High current density due to double mesa technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 221 K
品牌：	IPS [ IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

IPT16Q06-xxA

电气特性

（ TJ = 25

℃

除非另有规定编）

IPT16Q06xxA

符号

测试条件

象限

100

1.3

0.2

I – II – III

所有

单位

= 12V ř

= 30Ω

DRM ，

=3.3KΩ,

TJ = 125

℃

最大

民

所有

I - III - IV

最大

民

200

120

400

V /美

= 1.2 I

dv / dt的

= 100毫安

= 67% V

DRM

门敞开着TJ = 125

℃

静态特性

符号

DRM

RRM

测试条件

= 22.5A ， TP = 380uS

= V

DRM

= V

RRM

TJ = 25

℃

TJ = 25

℃

TJ = 125

℃

值（最大值）

1.55

单位

热阻

符号

（J - C ）

参数

结到外壳（ AC）

价值

2.1

单位

℃/W

4F ，畅赢了B / D， 269 Hyoje洞，钟路区，首尔，韩国110-480

TEL ： + 82-70 - 7574 - 2839 ，传真： + 82-2-6280-6382 ， sales@ipsemiconductor.com

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