[ IRF ] IRF7726 Datasheet下载

厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

功率MOSFET ( VDSS = -30V )

Power MOSFET(Vdss=-30V)

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IRF7707TR 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRF7707TR 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
22 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
47nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2361pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-TSSOP
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
标准包装
4,000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

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INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

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描述:

HEXFET功率MOSFET

HEXFET Power MOSFET

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INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

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超低导通电阻

Ultra Low On-Resistance

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[ IRF ] IRF7739L2TRPBF Datasheet下载

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INTERNATIONAL RECTIFIER

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INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

基准的MOSFET产品选择指南

Benchmark MOSFETs Product Selection Guide

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[ IRF ] IRF7749L2TRPBF Datasheet下载

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INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

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描述:

基准的MOSFET产品选择指南

Benchmark MOSFETs Product Selection Guide

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[ IRF ] IRF7750 Datasheet下载

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INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

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功率MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(ON) = 0.030ohm )

Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.030ohm)

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[ IRF ] IRF7750GPBF Datasheet下载

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INTERNATIONAL RECTIFIER

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HEXFET功率MOSFET超低导通电阻双P沟道MOSFET

HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET

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INTERNATIONAL RECTIFIER

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描述:

超低导通电阻

Ultra Low On-Resistance

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IRF7707TRPBF 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRF7707TRPBF 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
22 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
47nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2361pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-TSSOP
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
标准包装
4,000
其它名称
IRF7707TRPBF-ND IRF7707TRPBFTR SP001559986
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

IRF7707TRPBF 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRF7707TRPBF 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
剪切带(CT)
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
22 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
47nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2361pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-TSSOP
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
标准包装
1
其它名称
IRF7707TRPBFCT
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • IRF7707
  • 功率MOSFET ( VDSS = -20V )
    Power MOSFET(Vdss=-20V)

  • IRF
  • 总8页

  • 2.
  • IRF7707PBF
  • HEXFET㈢功率MOSFET
    HEXFET㈢ Power MOSFET

  • IRF
  • 总8页

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