[ IRF ] IRFZ44VZL Datasheet下载

厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 12mohm ,ID = 57A )

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)

下载:
下载Datasheet文档资料

IRFZ44VZL 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRFZ44VZL 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
57A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
12 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
65nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1690pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
92W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-262
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装
50
其它名称
*IRFZ44VZL

[ IRF ] IRFZ44VZLPBF Datasheet下载

厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

HEXFET㈢功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS ( ON) = 12米ヘ, ID = 57A )

HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )

下载:
下载Datasheet文档资料

[ IRF ] IRFZ44VZPBF Datasheet下载

厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

HEXFET㈢功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS ( ON) = 12米ヘ, ID = 57A )

HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )

下载:
下载Datasheet文档资料

[ IRF ] IRFZ44VZS Datasheet下载

厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 12mohm ,ID = 57A )

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)

下载:
下载Datasheet文档资料

[ IRF ] IRFZ44VZSPBF Datasheet下载

厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

HEXFET㈢功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS ( ON) = 12米ヘ, ID = 57A )

HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )

下载:
下载Datasheet文档资料

[ IRF ] IRFZ44Z Datasheet下载

厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 13.9mohm ,ID = 51A )

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)

下载:
下载Datasheet文档资料

[ IRF ] IRFZ44ZL Datasheet下载

厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 13.9mohm ,ID = 51A )

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)

下载:
下载Datasheet文档资料

[ IRF ] IRFZ44ZLPBF Datasheet下载

厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

HEXFET㈢功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS ( ON) = 13.9米ヘ, ID = 51A )

HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9mヘ , ID = 51A )

下载:
下载Datasheet文档资料

IRFZ44VZPBF 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRFZ44VZPBF 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
57A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
12 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
65nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1690pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
92W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
1,000
其它名称
*IRFZ44VZPBF SP001565374

IRFZ44VZS 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRFZ44VZS 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
57A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
12 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
65nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1690pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
92W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装
50
其它名称
*IRFZ44VZS
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • IRFZ44VZL
  • 功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 12mohm ,ID = 57A )
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)

  • IRF
  • 总12页

  • 2.
  • IRFZ44VZLPBF
  • HEXFET㈢功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS ( ON) = 12米ヘ, ID = 57A )
    HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )

  • IRF
  • 总13页

IRFZ44VZL相关资料文章和技术文档