[ IRF ] IRLR120NTRPBF Datasheet下载

厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

表面贴装( IRLR120N )

Surface Mount (IRLR120N)

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IRLR120NTRLPBF 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRLR120NTRLPBF 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
185 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 5V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
440pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
48W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
3,000
其它名称
SP001568906

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厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

HEXFET功率MOSFET

HEXFET Power MOSFET

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[ VISHAY ] IRLR120PBF Datasheet下载

厂商:

VISHAY TELEFUNKEN

VISHAY

VISHAY TELEFUNKEN

描述:

功率MOSFET

Power MOSFET

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[ VISHAY ] IRLR120TRL Datasheet下载

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VISHAY TELEFUNKEN

VISHAY

VISHAY TELEFUNKEN

描述:

功率MOSFET

Power MOSFET

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[ VISHAY ] IRLR120TRLPBF Datasheet下载

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VISHAY TELEFUNKEN

VISHAY

VISHAY TELEFUNKEN

描述:

功率MOSFET

Power MOSFET

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[ VISHAY ] IRLR120TRRPBF Datasheet下载

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VISHAY TELEFUNKEN

VISHAY

VISHAY TELEFUNKEN

描述:

功率MOSFET

Power MOSFET

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[ ETC ] IRLR121 Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V( BR ) DSS | 7.9AI (D ) | TO- 252\n

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.9A I(D) | TO-252

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[ FAIRCHILD ] IRLR130A Datasheet下载

厂商:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

FAIRCHILD

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

描述:

先进的功率MOSFET

ADVANCED POWER MOSFET

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IRLR120NTRPBF 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRLR120NTRPBF 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
185 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 5V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
440pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
48W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,000
其它名称
IRLR120NPBFTR SP001574026

IRLR120NTRPBF 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRLR120NTRPBF 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
185 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 5V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
440pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
48W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
1
其它名称
*IRLR120NTRPBF IRLR120NPBFCT
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • IRLR120NTR
  • 先进的工艺技术
    Advanced Process Technology

  • IRF
  • 总11页

  • 2.
  • IRLR120NTRPBF
  • 表面贴装( IRLR120N )
    Surface Mount (IRLR120N)

  • IRF
  • 总11页

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