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IRF830APBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF830APBF图片预览
型号: IRF830APBF
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 162 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF830APbF
100
VGS
TOP
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
I
D
, Drain-to-Source Current (A)
10
I
D
, Drain-to-Source Current (A)
10
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
TOP
1
1
0.1
4.5V
20µs PULSE WIDTH
T
J
= 25
°
C
1
10
100
4.5V
0.01
0.1
0.1
20µs PULSE WIDTH
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
100
2.5
R
DS(on)
, Drain-to-Source On Resistance
(Normalized)
I
D
= 5.0A
I
D
, Drain-to-Source Current (A)
2.0
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
1.5
1.0
0.5
0.1
4.0
V DS = 50V
20µs PULSE WIDTH
5.0
6.0
7.0
8.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
T
J
, Junction Temperature(
°
C)
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
www.irf.com
3