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    IRF7831 参数 Datasheet PDF下载

    IRF7831图片预览
    型号： IRF7831
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 171 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF7831的Datasheet PDF文件第9页  
    IRF7831
    100000
    VGS ，栅 - 源极电压（ V）
    VGS = 0V，
    F = 1 MHz的
    Ç ISS = C GS + Cgd的，C DS短路
    Ç RSS = C GD
    Ç OSS = C DS + Cgd的
    12
    ID = 12A
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    VDS = 24V
    VDS = 15V
    C，电容（pF ）
    10000
    西塞
    1000
    科斯
    CRSS
    100
    1
    10
    100
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    VDS ，漏极至源极电压（ V）
    QG总栅极电荷（ NC）
    图5 。
    典型的电容比。
    漏极至源极电压
    图6 。
    典型栅极电荷比。
    栅极 - 源极电压
    1000.0
    1000
    在这一领域
    限于由R DS （ ON）
    100.0
    T J = 150℃
    10.0
    ID ，漏极 - 源极电流（A ）
    ISD ，反向漏电流（ A）
    100
    100µsec
    10
    1msec
    TC = 25°C
    TJ = 150℃
    单脉冲
    0.1
    1.0
    10.0
    1.0
    T J = 25°C
    VGS = 0V
    10msec
    100.0
    1000.0
    0.1
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    VSD ，源toDrain电压（ V）
    1
    VDS ，漏toSource电压（V ）
    图7 。
    典型的源极 - 漏极二极管
    正向电压
    图8 。
    最大安全工作区
    4
    www.irf.com

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