IRF7831
SO - 8封装详情
D
A
5
B
暗淡
A
b
英寸
民
.0532
.013
.0075
.189
.1497
最大
.0688
.0098
.020
.0098
.1968
.1574
MILLIMETERS
民
1.35
0.10
0.33
0.19
4.80
3.80
最大
1.75
0.25
0.51
0.25
5.00
4.00
A1 .0040
6
E
8
7
6
5
H
0.25 [.010]
A
c
D
E
e
e1
H
1
2
3
4
.050 BASIC
0.025 BASIC
.2284
.0099
.016
0°
.2440
.0196
.050
8°
1.27 BASIC
0.635 BASIC
5.80
0.25
0.40
0°
6.20
0.50
1.27
8°
6X
e
K
L
y
e1
A
的K× 45 °
C
0.10 [.004]
y
8X ç
8X B
0.25 [.010]
A1
C A B
8X L
7
不ES :
1.梦诗IONING &公差符合ASME Y14.5M - 1994 。
2.继续轧制梦诗ION : MILLIMET ER
3.梦诗离子毫米[英寸]所示。
4.外形。符合JEDEC外形MS -012AA 。
5梦诗离子不包括模型PROT RUSIONS 。
模具PROTRUS离子不超过0.15 [ 0.006 ] 。
6梦诗离子不包括模型PROT RUSIONS 。
模具PROTRUS离子不超过0.25 [ 0.010 ] 。
7梦诗ION为T HE LENGT ħ铅焊接TO
A S UBST RAT E.
3X 1.27 [.050]
6.46 [.255]
˚F OOTPRINT
8X 0.72 [.028]
8X 1.78 [.070]
SO- 8最热
示例:这是一个IRF7101 ( MOS FET )
日期代码( YWW )
Y = LAS牛逼DIGIT的一年
WW =周
批号
产品型号
9
INT ERNAT有理
整流器器
标志
www.irf.com
YWW
XXXX
F7101