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2N6354 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N6354
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 39 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
2N6354
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极电压breakdwon
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
120
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基breakdwon电压
I
E
= 5M A;我
C
=0
6.5
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
0.5
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=1A
1.0
V
V
BE SAT- 1
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
1.3
V
V
BE SAT- 2
基射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=1A
V
CE
=100V;V
BE
=0
T
C
=125℃
V
CE
= 140V ;我
B
=0
2.0
V
I
首席执行官
集电极截止电流
10
10
20
5
mA
I
CEV
集电极截止电流
mA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 150V ;我
E
=0
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
5
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
20
150
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 10A ; V
CE
=2V
10
100
2