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2N6740 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N6740
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 60 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6738 2N6739 2N6740
条件
典型值。
最大
单位
2N6738
集电极 - 发射极
维持电压
300
V
CEO ( SUS )
2N6739
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
350
V
2N6740
400
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=5A;I
B
=1A
1.0
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=8A;I
B
=4A
2.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
=5A;I
B
=1A
V
CEV
=额定V
CEV
;V
BE
=-1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
1.6
0.1
1.0
2.0
V
I
CEV
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
10
40
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V
10
60
兆赫
开关时间
μs
t
d
延迟时间
0.1
t
r
上升时间
I
C
=5A;I
B1
=-I
B2
=1A
V
CC
=125V
t
p
= 20μS ,职务cycle≤1.0 %
0.4
μs
t
s
贮存时间
2.5
μs
t
f
下降时间
0.5
μs
2