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    2SA1120 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1120图片预览
    型号： 2SA1120
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 139 K
    品牌： ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
     浏览型号2SA1120的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1120的Datasheet PDF文件第3页  
    INCHANGE半导体
    产品speci fi cation
    硅PNP功率晶体管
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    参数
    条件
    民
    典型值。
    2SA1120
    最大
    单位
    V
    （ BR ） CEO
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = -10mA ;我
    B
    =0
    -35
    V
    V
    CESAT
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = -4A ;我
    B
    =-0.1A
    -1.0
    V
    V
    BE
    基射极电压上
    I
    C
    = -4A ; V
    CE
    =-2V
    -1.5
    V
    I
    CBO
    集电极截止电流
    V
    CB
    = -35V ;我
    E
    =0
    -0.1
    mA
    I
    EBO
    发射极截止电流
    V
    EB
    = -6V ;我
    C
    =0
    -0.1
    mA
    h
    FE-1
    直流电流增益
    I
    C
    = -500mA ; V
    CE
    =-2V
    200
    h
    FE-2
    直流电流增益
    I
    C
    = -4A ; V
    CE
    =-2V
    70
    C
    ob
    输出电容
    I
    E
    =0 ; V
    CB
    = -10V F = 1MHz的
    62
    pF
    f
    T
    跃迁频率
    I
    C
    = -500mA ; V
    CE
    =-2V
    170
    兆赫
    2

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