[ MICROSEMI ] JAN2N6350 Datasheet下载

厂商:

MICROSEMI CORPORATION

MICROSEMI

MICROSEMI CORPORATION

描述:

NPN达林顿功率硅晶体管

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N6350 品牌:Microsemi Corporation

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
图片:
JAN2N6350 图片
制造商
Microsemi Corporation
系列
军用,MIL-PRF-19500/472
包装
散装
零件状态
Digi-Key 停产
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
1.5V @ 5mA,5A
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
2000 @ 5A,5V
功率 - 最大值
1W
频率 - 跃迁
-
工作温度
-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-205AC,TO-33-4 金属罐
供应商器件封装
TO-33
标准包装
1
其它名称
1086-16197 1086-16197-MIL

[ MICROSEMI ] JAN2N6351 Datasheet下载

厂商:

MICROSEMI CORPORATION

MICROSEMI

MICROSEMI CORPORATION

描述:

NPN达林顿功率硅晶体管

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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[ MICROSEMI ] JAN2N6352 Datasheet下载

厂商:

MICROSEMI CORPORATION

MICROSEMI

MICROSEMI CORPORATION

描述:

NPN达林顿功率硅晶体管

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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[ MICROSEMI ] JAN2N6353 Datasheet下载

厂商:

MICROSEMI CORPORATION

MICROSEMI

MICROSEMI CORPORATION

描述:

NPN达林顿功率硅晶体管

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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[ ETC ] JAN2N6378 Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| BJT | PNP | 100V V( BR ) CEO | 50A I(C ) | TO- 3\n

TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-3

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[ ETC ] JAN2N6379 Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| BJT | PNP | 120V V( BR ) CEO | 50A I(C ) | TO- 3\n

TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-3

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[ ETC ] JAN2N6383 Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| BJT |达林顿| NPN | 40V V( BR ) CEO | 10A I(C ) | TO- 3\n

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3

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[ ETC ] JAN2N6384 Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| BJT |达林顿| NPN | 60V V( BR ) CEO | 10A I(C ) | TO- 3\n

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3

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JAN2N6351 品牌:Microsemi Corporation

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
图片:
JAN2N6351 图片
制造商
Microsemi Corporation
系列
军用,MIL-PRF-19500/472
包装
散装
零件状态
Digi-Key 停产
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
150V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
2.5V @ 10mA,5A
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
1000 @ 5A,5V
功率 - 最大值
1W
频率 - 跃迁
-
工作温度
-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-205AC,TO-33-4 金属罐
供应商器件封装
TO-33
标准包装
1
其它名称
1086-15248 1086-15248-MIL

JAN2N6353 品牌:Microsemi Corporation

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
图片:
JAN2N6353 图片
制造商
Microsemi Corporation
系列
军用,MIL-PRF-19500/472
包装
散装
零件状态
Digi-Key 停产
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
150V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
2.5V @ 10mA,5A
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
1000 @ 5A,5V
功率 - 最大值
2W
频率 - 跃迁
-
工作温度
-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-213AA,TO-66-3
供应商器件封装
TO-66(TO-213AA)
标准包装
1
其它名称
1086-16204 1086-16204-MIL
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • JAN2N6350
  • NPN达林顿功率硅晶体管
    NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

  • MICROSEMI
  • 总2页

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