基美
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多层陶瓷电容器/推力&径向引线
多层陶瓷电容器处于可用
各种物理尺寸和配置，包括
引线器件和表面安装的芯片。含铅
风格包括成型和保形涂层零件
轴向和径向引线。但是，基本
电容元件是类似的所有样式。它被称为
芯片和由配制介电材料的
已浇注成薄层，穿插
与金属电极交替暴露于相对
叠层结构的边缘。整个结构是
高温烧制，以产生一个单片
块，在一个具有高电容值
小的物理体积。烧成后，导电性
端子被施加到芯片的至相对端
使与暴露的电极接触。
终止材料和方法取决于
预期用途。
温度特性
陶瓷介电材料可以与配制
第三类：
通用电容器，适合
一个范围广等特点。环评标准
为旁路耦合或其它应用，其中
瓷介电容器（ RS - 198 ），分陶瓷
介质损耗，绝缘电阻高，并
电介质分为以下两类：
的电容特性稳定，是很少或
并不重要。 III类电容器类似于类
二电容器除了温度特性
I级：
温度补偿电容器，
它们是大于±15％。第三类电容器
适用于谐振电路的应用或其他应用程序
具有最高的容积效率和最穷
的阳离子，其中高Q值和电容煤焦的稳定性
任何类型的稳定性。
Cucumis Sativus查阅全文都是必需的。 I类电容器具有
预测的温度系数，不
受电压，频率或时间。它们是由
KEMET含铅陶瓷电容器均提供
从材料不属于铁电，产生
三种最流行的温度特性：
超强的稳定性，低容积效率。 I类
C0G ：
I类，具有0 ±温度系数
电容是最稳定的类型可用，但有
30ppm的每摄氏度以上的操作
最低的容积效率。
温度范围 - 55 ° C至+ 125°C （也
被称为“ NP0 ”）。
X7R ：
II级，最大容量
II级：
稳定的电容器，适用于旁路
的±15 ％的变化超过其工作温度
或耦合的应用程序或鉴频
范围 - 55 ° C至+ 125°C 。
电路，其中Q和电容的稳定性煤焦
Z5U ：
第三级，具有最大电容
Cucumis Sativus查阅全文都是一个重大重要性不。 II类
为+ 22 ％的变化 - 56 ％以上的工作温
电容具有±15 ％的温度特性
温度范围内的+ 10 ° C至+ 85°C 。
或更小。它们是从材料，这些材料制成
铁电，产生较高的容积效率，但
不太稳定。 II类电容器是受
指定电气限制这三个温度
温度，电压，频率和时间。
特性示于表1中。
特殊电气极限
参数
耗散因数：测量并且符合以下条件：
C0G - 1千赫和1 v有效如果电容> 1000pF的
1 MHz和1 v有效如果电容
≤
1000 pF的
X7R - 1千赫和1 v有效*
Z5U - 1 kHz和0.5 VRMS
介电强度： 2.5倍额定直流电压。
绝缘电阻（IR ） ：在额定直流电压，
取两者的较小
温度特性：范围， ℃，
无静电容量变化
直流电压
* 1 MHz和1 v有效如果电容
≤
100 pF的军事产品。
温度特性
C0G
X7R
Z5U
0.15%
2.5%
4.0%
随后通过红外测试
1000 MΩ- μF
或100 GΩ
-55至125
0 ± 30 PPM /°C的
1000 MΩ- μF
或100 GΩ
-55至125
±15%
1000 MΩ- μF
或10 GΩ
10 〜85
+22%, -56%
表一
4
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