应用笔记多层
陶瓷电容器
功耗
功耗为已被经验确定
两个有代表性的KEMET系列： C052和C062 。电源显示
各种安装配置sipation功能显示
表3.本表是从工程公告提取
的F- 2013 ，它提供了这样子的更详细的处理
拍摄对象。
注意，之间没有检测到显著差
两个尺寸，尽管以2比1的表面积的比率。由于该
在多层陶瓷capac-的结构中使用的材料
itors ，功率耗散能力不依赖很大
在电容器本体的表面面积，而是关于如何
以及热量传导出去，电容器引线。
因此，该功率耗散能力，适用于
其他含铅多层样式和大小。
表3
功率耗散能力
（每瓦摄氏度上升）
安装配置
连接到接线柱1.00"导联线
的GR- 1615桥接（优秀散热片）
连接到接线柱0.25"导联线
的GR- 1615桥接
电容齐平安装到0.062"玻璃 -
小铜线环氧电路板
电容齐平安装到0.062"玻璃 -
与4平方英寸环氧电路板
铜面积作为散热器的
动力
耗散
C052 & C062的
90摄氏度
每瓦特上升± 10％
55摄氏度
每瓦特上升± 10％
77摄氏度
每瓦特上升± 10％
53摄氏度
每瓦特上升± 10％
电容器可以被应用于无交流电压下工作
需要直流偏置。
可靠性
一个精心构造的多层陶瓷电容器
极其可靠，并且对于所有的实际目的，具有infi-
有限寿命时的最大电压范围内使用，并且
温度额定值。电容器故障可能由可持诱发
tained操作在电压超出额定直流电压，
电压尖峰或瞬态超出介质与 -
站在电压，持续操作在温度高于
最大额定温度时，或在过度温
TURE上升，由于功耗。
故障率通常以每百分计
千小时或FITS （失败每十亿小时） 。一些
KEMET系列都建立在美国军方资格
可靠性规格MIL -PRF- 20 ， MIL -PRF- 123 ， MIL-
PRF- 39014和MIL -PRF- 55681 。失败率可低至
每千小时0.001 ％，适用于所有电容/
电压等级覆盖这些规范。这些光谱
ifications和相应的合格产品清单应
咨询有关详情。
对于不属于这些军用规格系列，
一个内部的测试方案是由KEMET质量保持
保证。从每个星期的生产样品分
遭离弃的一个2000小时加速寿命试验在2倍额定电压
和最大额定温度。基于所述结果
这些测试中，平均故障率的所有非军用系列
包括在本测试程序是每1000目前0.06 ％
在最大额定条件下小时。故障率将是
在典型的使用条件下低得多。例如，使用MIL-
HDBK- 217D这个故障率转换为0.9 FITS 50 ％
在额定电压和50℃。
目前的故障率细节具体KEMET multilay-
呃陶瓷电容器系列可应要求提供。
误用
陶瓷电容器，就像任何其他的电容器，可能会失败
如果他们被误用。典型的误用，包括曝光
一定要过大的电压，电流或温度。如果
该电容器的电介质层由不当损坏
该电路的电能量可以被释放为热量，
这可能会损坏电路板和其他组件
为好。
如果有可能误用，则建议
采取预防措施，以保护人员和设备
在电压的初始应用程序。常用的注意事
系统蒸发散包括人员屏蔽和感应过度
主板测试过程中的功率消耗。
存储和处理
陶瓷片式电容器应储存于正常
的工作环境。而芯片本身都相当
在其他环境中健壮，可焊性会下降
通过暴露于高温，高湿度，腐蚀性
气氛下进行，并且长期贮存。此外，包装
材料将通过高温降解 - 卷轴可
软化或翘曲，并且胶带剥离力可能增加。 KEMET
建议在最高储存温度不超过
40˚ C和最大存储湿度不超过70 ％厘清
略去湿度。另外，温度波动应
最小化，以避免在零件上冷凝，和大气
pheres应无氯和硫的轴承的COM
磅。为优化焊接，芯片的股票应该是
及时使用，最好在1.5年收据。
如表3所示，功率耗散能力
电容器是其使用的细节非常敏感的环境
换货。温升由于功耗不应该
超过20℃ 。使用限制，允许的最大
功耗可从所提供的数据来计算
表3中。
这是很方便的翻译功耗capa-
相容性成允许的额定交流电压。假设sinu-
soidal波形的RMS “纹波电压”可以计算
从下面的公式：
E =的Zx
哪里
P
最大
R
E = RMS纹波电压（伏）
P =功耗（瓦）
Z =阻抗
R = ESR
使该计算所必需的数据被包括在
工程公告F- 2013 。但是，下面的条件
必须遵守：
1.温升引起的功耗
应限制在20℃。
2.峰值交流电压加上直流电压不得
超过的最大工作电压
电容。
只要这些条件都满足时，多层陶瓷
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