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LS5906 参数 Datasheet PDF下载

LS5906图片预览
型号: LS5906
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内容描述: 低漏低漂移整体式双N沟道JFET [LOW LEAKAGE LOW DRIFT MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 31 K
品牌: LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
 浏览型号LS5906的Datasheet PDF文件第1页  
符号
Y
OSS
Y
OS
|Y
OS1-2
|
CMR
CMR
特征
输出电导
全导
操作
迪FF erential
共模抑制
-20日志| ΔV
GS1-2
/∆V
DS
|
-20日志| ΔV
GS1-2
/∆V
DS
|
噪音
科幻gure
电压
电容
输入
反向传输
漏漏
分钟。
--
--
--
典型值。
--
0.1
0.01
MAX 。单位
5
0.1
0.1
μmho
μmho
μmho
条件
V
DG
= 10V
V
DG
= 10V
V
GS
= 0
I
D
= 30µA
--
--
90
90
--
--
dB
dB
∆V
DS
= 10〜 20V
∆V
DS
= 5〜 10V
V
DS
= 10V
F = 100Hz的
V
DG
= 10V
NBW = 1Hz的
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
V
DG
= 20V
I
D
= 30µA
I
D
= 30µA
V
GS
= 0 R
G
= 10MΩ
NBW = 6HZ
I
D
= 30μA F = 10Hz的
NF
e
n
--
--
--
20
1
70
dB
纳伏/赫兹÷
C
国际空间站
C
RSS
C
DD
--
--
--
--
--
--
3
1.5
0.1
pF
pF
pF
V
GS
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 30µA
F = 1MHz的
F = 1MHz的
TO-71
六线
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
TO-78
0.305
0.335
0.335
0.370
马克斯。
0.040 0.165
0.185
MIN 。 0.500
座位
飞机
0.200
0.100
P- DIP
0.320
(8.13)
0.290
(7.37)
0.405
(10.29)
马克斯。
S1 1
D1 2
SS 3
G1 4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.029
0.045
2 3 4
1
5
8 7 6
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.050
2 3 4
1
8
5
6
7
SOIC
0.150
(3.81)
0.158
(4.01)
0.100
45°
0.046
0.036
45°
0.048
0.028
0.028
0.034
0.188
(4.78)
0.197
(5.00)
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.228
(5.79)
0.244
(6.20)
注意事项:
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害。
线性集成系统
4042帆船法院,弗里蒙特,CA 94538 •电话: ( 510 ) 490-9160 •传真: ( 510 ) 353-0261