欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

LT1162 参数 Datasheet PDF下载

LT1162图片预览
型号: LT1162
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 半/全桥N沟道功率MOSFET驱动器 [Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 16 页 / 229 K
品牌: LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
 浏览型号LT1162的Datasheet PDF文件第1页浏览型号LT1162的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LT1162的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LT1162的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LT1162的Datasheet PDF文件第6页浏览型号LT1162的Datasheet PDF文件第7页浏览型号LT1162的Datasheet PDF文件第8页浏览型号LT1162的Datasheet PDF文件第9页  
LT1160/LT1162
典型性能特性
底栅上升时间
与温度
230
210
V
+
= 12V
底栅下降时间( NS )
底栅上升时间( NS )
顶栅上升时间( NS )
190
170
150
130
110
90
70
50
–50
C
负载
= 10000pF
C
负载
= 3000pF的
C
负载
= 1000pF的
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
顶栅下降时间
与温度
180
160
顶栅下降时间( NS )
140
120
100
80
60
40
C
负载
= 1000pF的
20
–50 –25
0
25
50
75
100
125
C
负载
= 3000pF的
V
+
= 12V
C
负载
= 10000pF
导通延迟时间(纳秒)
350
300
400
延时关闭时间(纳秒)
温度(℃)
11160/62 G13
锁定延迟时间
与温度
400
350
V
+
= 12V
C
负载
= 3000pF的
400
350
TOP DRIVER
BOTTOM DRIVER
封锁延迟时间(纳秒)
300
250
200
150
100
–50
解除延迟时间(纳秒)
–25
ü W¯¯
1160/62 G10
( LT1160和LT1162 1/2 )
顶栅上升时间
与温度
300
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
C
负载
= 1000pF的
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
80
–50
C
负载
= 3000pF的
V
+
= 12V
C
负载
= 10000pF
底栅下降时间
与温度
210
190
170
150
130
110
90
70
50
30
–50
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
C
负载
= 3000pF的
C
负载
= 1000pF的
C
负载
= 10000pF
V
+
= 12V
1160/62 G11
1160/62 G12
导通延迟时间
与温度
400
V
+
= 12V
C
负载
= 3000pF的
350
300
250
200
150
打开-O FF延迟时间
与温度
V
+
= 12V
C
负载
= 3000pF的
TOP DRIVER
TOP DRIVER
250
200
BOTTOM DRIVER
150
100
–50
BOTTOM DRIVER
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
100
–50
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
1160/62 G14
1160/62 G15
解除延迟时间
与温度
V
+
= 12V
C
负载
= 3000pF的
300
TOP DRIVER
250
200
BOTTOM DRIVER
150
100
–50
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
1160/62 G16
1160/62 G17
11602fb
5