数字调节LCD偏置电源
MAX749
隅田川CD54-470N （ 47μH ， 720毫安， 370mΩ ）是suit-
能够用于范围广泛的应用中，大
CD105-470N （ 47μH ， 1.17A ， 170mΩ ），允许更高的电流
租金水平和效率。
表2.零部件供应商
供应商
电感器
COILTRONICS
GOWANDA
胜美达美国
墨田区日本
电容器
基美
松尾
尼吉康
斯普拉格
三洋美国
日本三洋公司
美贵弥功
二极管
摩托罗拉
日本美国
日本日本
哈里斯
国际
整流器器
Siliconix公司
Zetex的美国
Zetex的英国
IRC
(800) 521-6274
(805) 867-2555
81-3-3494-7411
(407) 724-3739
(213) 772-2000
(408) 988-8000
(516) 543-7100
44 (61) 727 5105
(512) 992-7900
(805) 867-2698
81-3-3494-7414
(407) 724-3937
(213) 772-9028
(408) 727-5414
(516) 864-7630
44 (61) 627 5467
(512) 992-3377
(803) 963-6300
(714) 969-2491
(708) 843-7500
(603) 224-1961
(619) 661-6322
81-3-3837-6242
(714) 255-9500
(714) 255-9400
(803) 963-6322
(714) 960-6492
(708) 843-2798
(603) 224-1430
(305) 781-8900
(716) 532-2234
(708) 956-0666
81-3-3607-511
(305) 782-4163
(716) 532-2702
(708) 956-0702
81-3-3607-5428
电话
传真
二极管的选择
该MAX749的高开关频率需要一个高
高速整流器。肖特基二极管如1N5817-
1N5822系列建议。选择用一个二极管
平均额定电流大约等于峰值
当前，如由180mV / R所确定
SENSE
和突破性
下电压大于V + +
I
-V
OUTMAX
I
.
外部开关晶体管
的MAX749可以驱动一个PNP晶体管或P沟道
逻辑电平的MOSFET 。一个电源开关的选择是
由输入电压范围，成本和效率所决定的。
MOSFET提供最高的效率，因为他们
不画任何直流栅极驱动电流（见
典型
工作特性
图表） 。然而，栅极
的几伏特的源电压是需要打开一个
MOSFET ，因此在5V或更高的输入电源是必需的
（虽然这种限制可能转变为低阈值
旧的P沟道MOSFET变得可用）。 PNP转录
电阻取值，同时，也可使用在整个2V至
6V的工作电压范围MAX749的。
当使用MOSFET ， DHI和DLOW连接到其
门（见
典型工作电路） 。
当使用PNP
晶体管， DHI连接到它的基地，并连接一个电阻
底座和DLOW （R之间器
BASE
）（图1）。该
PNP型晶体管被关断迅速被直接拉
DHI的，并且导通所提供的基极电流
通过研究
BASE
。该电阻限制了晶体管的基线
驱动电流（V
IN
- 140MV - V
BE
)/R
BASE
其中V
IN
is
输入电压， 140MV是R两端的压降
SENSE
, V
BE
是晶体管的基极 - 发射极电压，而R
BASE
为
限流电阻。为了获得最大的效率，使
R
BASE
尽可能的大，但是足够小，以使
晶体管始终工作在饱和状态。
最高的效率与一个PNP晶体管来源于
使用的设备具有低集电极发射极饱和
电压和高电流增益。使用快速切换
型。例如， Zetex的ZTX792A有开关
速度为40ns的（T
ON
），并为500ns （T
关闭
).
该晶体管必须具有一个集电极 - 发射极（PNP）或
漏极 - 源极（MOSFET）的额定电压大于所述
输入 - 输出电压差（V
IN
- V
OUT
） 。在这两种
情况下，晶体管必须有一个额定电流超过
峰值电流的电流检测电阻器来设定。
PNP晶体管通常比P-便宜
沟道MOSFET。表2列出了一些供应商
开关适于与MAX749使用晶体管。
10
功率晶体管 - MOSFET，
功率晶体管 - 晶体管PNP
电流检测电阻器
基极电阻
基极电阻，R
BASE
在图1中，控制量
基极电流中的PNP晶体管。对于R A低值
BASE
增加基极驱动，它提供更高的输出电流
租金和补偿较低的输入电压，但
降低效率。相反，一个高R
BASE
价值
提高了效率，但是降低了输出能力，
尤其是在低电压。当使用高增益晶体管
器，例如Zetex的ZTX750或ZTX792 ，典型值
R
BASE
是在150Ω至510Ω范围内，但是将依赖于
所要求的输入电压范围及输出电流（见
典型工作特性） 。
低增益晶体管
需要对R值越低
BASE
和效率较低。较大
R
BASE
值是合适的，如果更小的输出功率是必需的。
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