低噪声偏置电源，μMAX封装
带有电源就绪指示，用于GaAsFET PA
MAX881R
绝对最大额定值
至GND ............................................... ..................- 0.3V至+ 6V
SHDN
到GND ................................................ ...........- 0.3V至+ 6V
POK
到GND ................................................ ...........- 0.3V至+ 12V
C1 +至GND ............................................... ..- 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
C1-， NEGOUT ， OUT ， FB到GND ....................- 6V至（V
IN
+ 0.3V)
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
10引脚μMAX封装（减免5.6mW / ° C以上+ 70 ° C） ........... 444mW
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 165℃
焊接温度（焊接， 10秒） ............................. + 300℃
注1 ：
输出可能短路到NEGOUT或GND。如果封装功耗不超标。典型的短路
当前是35毫安。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
图3 ，V的（电路
IN
= + 3.6V ， FB = GND ，R
L
=
∞,
SHDN
= IN，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。典型值是在
T
A
= + 25°C 。 ） （注2 ）
参数
电源电压范围
预置输出电压
可调输出电压
范围
FB电压
FB输入电流
电源电流
关断电源电流
输出负载调整
输出纹波
振荡器频率
POK
门槛
POK
输出电平
POK
断漏电流
SHDN
输入高电压
SHDN
输入低电压
SHDN
输入电流
SHDN
输入电容
启动时间
V
IH
V
IL
I
SHDN
C
IN
t
开始
V
IN
= 3V ，R
L
= 500Ω, V
SHDN
= 0至V
IN
,
POK
变低
f
OSC
FB = OUT
V
IN
≥
2.5V ，下沉1毫安
V
POK
= 11V
V
IN
= 5.5V
V
IN
= 2.5V
连接到GND或
10
1
2.2
0.35
±1
I
Q
I
关闭
SHDN
= GND
V
IN
≥
2.7V ，我
OUT
= 0至4mA
I
OUT
= 4毫安，图3b中的电路
80
90
符号
V
IN
V
OUT
V
OUT
V
IN
≥
2.7V ，我
OUT
= 0至4mA
V
IN
≥
2.5V ，我
OUT
= 0至4mA
V
IN
≥
2.5V,
I
OUT
= 0至4mA
V
FB
= -0.5V
T
A
= +25°C
T
A
= 0 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
条件
民
2.5
-2.1
-(V
IN
- 0.6)
-0.515
-0.525
-0.535
-10
500
0.05
2
1
100
92.5
120
95
100
1
-0.5
-2.0
典型值
最大
5.5
-1.9
-0.5
-0.485
-0.475
-0.465
-100
950
1
6
nA
µA
µA
毫伏/毫安
MVP -P
千赫
％的
V
OUT
mV
µA
V
V
µA
pF
ms
V
单位
V
V
V
V
FB
注2 ：
规格为-40°C通过设计保证，未经生产测试。
2
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