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28C256TRT1DS-12 参数 Datasheet PDF下载

28C256TRT1DS-12图片预览
型号: 28C256TRT1DS-12
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内容描述: 256K EEPROM ( 32K ×8位) EEPROM [256K EEPROM (32K x 8-Bit) EEPROM]
分类和应用: 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 14 页 / 275 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
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256K EEPROM ( 32K ×8位) EEPROM
T
ABLE
4. 28C256T ř
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
S
UBGROUPS
1
1
1
1
热阻抗 - 扁平封装
热阻抗 - DIP封装
工作温度范围
1. V
IL
分= -1.0V脉冲宽度< 50纳秒。
1
1
1
S
YMBOL
V
CC
V
IL
V
IH
V
H
M
IN
4.5
-0.3
1
2.2
V
CC
-0.5
--
--
-55
28C256T
M
AX
5.5
0.8
V
CC
+0.3
V
CC
+1
0.87
0.86
125
U
尼特
V
V
V
V
° C / W
° C / W
°
C
Θ
JC
Θ
JC
T
OPR
T
ABLE
5. 28C256T ç
APACITANCE
1
(T
A
= 25
°
C,F = 1兆赫)
P
ARAMETER
输入电容: V
IN
= 0V
1
输出电容: V
OUT
= 0V
1.设计保证。
S
YMBOL
C
IN
C
OUT
M
IN
--
--
M
AX
6
12
U
尼特
pF
pF
内存
T
ABLE
6. 28C256T DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 5 V± 10 % ,T
A
= -55
TO
+125
°
C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入漏电流
输出漏电流
待机V
CC
当前
工作V
CC
当前
C
ONDITIONS
V
CC
= 5.5 V, V
IN
= 5.5 V
V
CC
= 5.5 V, V
OUT
= 5.5 V/0.4 V
CE = V
CC
CE = V
IH
I
OUT
= 0 mA时占空比= 100 %
V
CC
= 5.5 V周期= 1美元
I
OUT
= 0毫安占空比= 100 %
V
CC
= 5.5 V周期= 150纳秒
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
LO
= 2.1毫安
I
OH
= -400微安
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
V
IL
V
IH
V
H
V
OL
V
OH
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
S
YMBOL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
M
IN
--
--
--
--
--
--
--
2.2
V
CC
-0.5
--
2.4
M
AX
2
2
20
1
15
50
0.8
--
--
0.4
--
V
V
V
V
V
U
尼特
uA
uA
uA
mA
mA
02年2月18日Rev5
所有数据表如有变更,恕不另行通知
3
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