32兆位（ 4M ×8位）快闪记忆体
T
ABLE
11. 29F0408 AC - C
极特FOR
O
PERATION
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，T
A
= -40
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
CE低到状态输出
RE高到WE低
WE高到RE低
RE存取时间（读取ID ）
器件复位时间（读/编程/擦除/后
擦除挂起）
1.未测试
S
YMBOL
t
集体安全条约组织
RHW
Y
t
WHR
t
READID
t
RST
S
UBGROUPS
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
M
IN
--
0
60
--
--
29F0408
M
AX
45
--
--
35
5/10/500
U
NIT
ns
ns
ns
ns
µs
2.若CE变在30纳秒高后终于RE的上升沿， R / B将不会返回到V
OL
.
3.时间来准备取决于上拉电阻连接到R / B引脚的值。
4.要打破顺序读周期， CE必须保持高电平于T长
CEH
.
T
ABLE
12. 29F0408 V
ALID
B
LOCK 1,2
P
ARAMETER
有效的块数
S
YMBOL
N
VB
M
IN
502
T
YP
508
M
AX
512
U
NIT
块
1.该装置可包括有效块。无效块被定义为包含一个或多个损坏位元区块。不要试图
访问这些无效块编程和擦除。在10年和/或1万美元的项目的生命周期/擦除周期中，
有效块的最小数目是保证虽然它的初始数目可以减少。 （请参考以下技术说明）
2.第一框，它被放置在00h开始块地址，保证是一个有效的块。
NAND ˚F
LASH
T
技术
N
OTES
无效块（S ）
无效块被定义为包含一个或多个无效位，其可靠性不被保证的块
制造商。通常情况下，一个无效的块将包含一个坏一点。对于无效块（多个）中的信息是
所谓的无效块信息。无效块的信息被写入到所述第一或无效的第2页
块（多个）值为00h的数据。无效块（ S）器件具有相同的质量水平，设备与所有有效的块和
具有相同的交流和直流特性。无效块（多个）不影响有效块的性能（多个）
因为它是从所述位线与通过选择晶体管的共源极线隔离。该系统的设计必须
能屏蔽掉经由地址的映射无效块（多个） 。的NAND快闪存储器的第一块，但是，是充分瓜拉尼
开球是一个有效的块。
识别无效块（ S）
所有设备的位置被删除（ FFH ），除非该无效块信息在发货之前写的位置。
由于无效的块的信息也可擦在大多数情况下，这是不可能恢复，一旦它的信息
已被删除。因此，该系统必须能够识别基于原始无效的无效块（多个）
02年8月11日第2版
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