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33C408RTFE-25 参数 Datasheet PDF下载

33C408RTFE-25图片预览
型号: 33C408RTFE-25
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位) CMOS SRAM [4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 233 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
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4兆位( 512K ×8位) CMOS SRAM
T
ABLE
7. 33C408 AC - C
极特FOR
R
EAD
C
YCLE
(V
CC
= 5V, + 10 % ,T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
芯片的选择上电时间
-20
-25
-30
芯片选择关机时间
-20
-25
-30
S
YMBOL
t
PU
S
UBGROUPS
9, 10, 11
--
--
--
t
PD
9, 10, 11
--
--
--
10
15
20
0
0
0
M
IN
T
YP
33C408
M
AX
--
--
--
ns
--
--
--
U
NIT
ns
T
ABLE
8. 33C408 ˚F
UNCTIONAL
D
ESCRIPTION
CS
H
L
L
L
1, X =无关。
WE
X
1
H
H
L
OE
X
1
H
L
X
1
M
ODE
不选择
输出禁用
I / O P
IN
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
S
UPPLY
C
光凭目前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
T
ABLE
9. 33C408 AC - C
极特FOR
W
RITE
C
YCLE
(V
CC
= 5V, + 10 % ,T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
写周期时间
-20
-25
-30
片选写的结束
-20
-25
-30
地址建立时间
-20
-25
-30
地址有效到写结束
-20
-25
-30
S
UBGROUPS
9, 10, 11
S
YMBOL
t
WC
20
25
30
9, 10, 11
t
CW
14
15
17
9, 10, 11
t
AS
0
0
0
9, 10, 11
t
AW
14
15
17
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
--
ns
M
IN
T
YP
M
AX
U
NIT
ns
02年4月16日8 REV
所有数据表如有变更,恕不另行通知
5
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