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    33C408RTFS-30 参数 Datasheet PDF下载

    33C408RTFS-30图片预览
    型号： 33C408RTFS-30
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    内容描述： 4兆位（ 512K ×8位） CMOS SRAM [4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 233 K
    品牌： MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
     浏览型号33C408RTFS-30的Datasheet PDF文件第4页浏览型号33C408RTFS-30的Datasheet PDF文件第5页浏览型号33C408RTFS-30的Datasheet PDF文件第6页浏览型号33C408RTFS-30的Datasheet PDF文件第7页浏览型号33C408RTFS-30的Datasheet PDF文件第8页浏览型号33C408RTFS-30的Datasheet PDF文件第10页浏览型号33C408RTFS-30的Datasheet PDF文件第11页浏览型号33C408RTFS-30的Datasheet PDF文件第12页  
    4兆位（ 512K ×8位） CMOS SRAM
    33C408
    W
    RITE
    C
    YCLE
    N
    OTE
    :
    所有的写入周期的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
    低CS和低WE重叠期间发生写入。写在开始的最新转变
    其中CS变低和WE变为低电平：写在CS当中去高最早的过渡结束
    而我们要高。 t为从写入的开始时所测到的写操作的结束。
    吨是从CS的存货测定变低写的末尾。
    3.
    4.
    吨是从地址有效到写的开始测量的。
    5.
    t的测量形成写的结束地址变更。 TWR应用的情况下写入结束的CS ，
    或WR变高。
    如果OE ， CS和我们在阅读模式，在此期间，该I / O引脚输出低电平-Z状态。
    6.
    的输出的相位相反的输入必须不能应用，因为总线争用可能发生。
    对于常见的I / O应用，最小化或消除总线争用条件是必要的
    7.
    在读取和写入周期。
    8.
    IC CS同时变低，我们是否低，或WE变低​​后，输出保持高位
    阻抗状态。
    D是新的地址的读数据。
    9.
    10.当CS为低电平： I / O引脚的输出状态。在相反的相位领先的输入信号
    到输出不宜应用。
    WP
    CW
    AS
    WR
    OUT
    1.
    2.
    02年4月16日8 REV
    所有数据表如有变更，恕不另行通知
    9
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    版权所有。

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