4兆位( 512K ×8位) CMOS SRAM
F
IGURE
5: T
即时通信
W
作者AVEFORM
W
RITE
C
YCLE
(3)
33LV408
内存
W
RITE
C
YCLE
N
OTE
:
1.
2.
所有的写入周期的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
低CS和低WE重叠期间发生写入。一开始写在最新的过渡之中CS变低,并
我们要低:在CS当中去高最早的转变写入结束,我们要高。吨是从begin-测
宁写入到写操作的结束。
吨是从CS的存货测定变低写的末尾。
吨是从地址有效到写的开始测量的。
t的测量形成写的结束地址变更。 TWR应用的情况下写入结束的CS ,或WR变高。
如果OE , CS和我们在阅读模式,在此期间,该I / O引脚输出低电平-Z状态。相反的投入
输出的相位不能被应用,因为总线争用可能发生。
对于常见的I / O应用,最小化或消除总线争用条件时读取和写入是必要的
周期。
IC CS同时变低,我们是否低,或WE变低后,输出保持高阻态。
D是新的地址的读数据。
当CS为低电平: I / O引脚的输出状态。在相反的相位与输入信号通往输出应
不适用。
WP
CW
AS
WR
OUT
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
04年2月4日第2版
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