MX29LV002C / 002NC T / B
操作完成。如果RESET ＃是断言，当
编程或擦除操作的时间内完成
TREADY （而不是在嵌入式算法） 。该系统
在RESET ＃引脚恢复到VIH后可以读取数据TRH 。
请参考RESET＃ AC特性表
参数和图24的时序图。
扇区擦除命令30H 。
自动芯片擦除不需要的装置
完全预编程执行自动 - 前
马蒂奇芯片擦除。当执行自动排屑
擦除，设备将自动编程和验证
整个存储器为一个全零的数据模式。当
设备自动验证，以包含一个全零巳
燕鸥，自定时芯片擦除和验证开始。擦除
和验证操作完成时，数据就
Q7是"1" ，此时该装置返回到浏览
模式。该系统不要求提供任何控制
或者在这些操作期间定时。
当使用自动芯片擦除算法，记
该擦除自动终止充足时，
擦除余量已经实现对存储器阵列（无
擦除确认命令是必需的） 。
如果擦除操作是不成功的， Q5上的数据
是"1" （见表7 ），表明擦除操作EX-
CEED内部时序限制。
自动擦除开始于最后的上升沿
WE＃或CE ＃脉冲，首先在COM发生者为准
命令序列和终止时，对Q7的数据是
"1"和Q6的数据停止切换两个次连续
略去读周期，在该时间该设备返回到
阅读模式。
读/复位命令
通过写入读出开始的读出或复位操作/
复位命令序列到命令寄存器。
微处理器读周期获取数组数据。 DE-的
副保持启用，直到读取命令寄存器
器的内容被改变。
如果程序出现故障或擦除失败发生， F0H的写操作
重置设备中止操作。一个有效的COM
命令必须被写入到将设备中的
理想状态。
硅ID读命令
闪存被用于在应用中使用
本地CPU改变存储器的内容。因此，制造
商和设备代码必须是可访问的时
设备驻留在目标系统。 PROM编程
聚体通常通过提高A9访问特征码
高电压（VID） 。然而，复用高压
到地址线一般不被期望的系统设
签的做法。
该MX29LV002C T / B包含一个硅-ID- OP-阅读
关合作，以矫健的传统PROM编程甲
odology 。通过写入读出开始的操作
硅ID命令序列到命令寄存器
之三。以下的命令写入，读出周期与
A1 = VIL ， A0 = VIL检索C2H的制造商代码。
读周期与A1 = VIL ， A0 = VIH返回设备
59H为MX29LV002CT ， 5AH为MX29LV002CB的代码。
SET -UP自动排屑/扇区擦除
COMMANDS
芯片擦除是六总线周期操作。有两种
＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写周期。这些后面是写
＆ QUOT ;建立＆ QUOT ;命令80H 。两个＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写周期
然后其次是芯片擦除命令10H或
P / N ： PM1204
REV 。 1.0 ，六月30 ， 2005年
9
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
