24LC16B
16K 2.5V我
2
C
™
串行EEPROM
特点
•到2.5V单电源供电，工作下来
•低功耗CMOS技术
- 1毫安典型工作电流
- 10
µ
待机电流典型值5.5V
- 5
µ
待机电流典型值3.0V
•组织为256字节（ 8 ×256× 8）的8个块
• 2线串行接口总线，I
2
C
™
兼容
•施密特触发器输入以抑制噪声
•输出斜率控制以消除接地反弹
• 100千赫（ 2.5V ）和400 kHz （ 5V ）的兼容性
•自定时写周期（包括自动擦除）
•多达16个字节页写缓存
• 2毫秒典型的写周期时间为页写
•硬件写保护的整个存储器
•可作为串行ROM操作
•工厂编程（ QTP ）提供
• ESD保护＆ GT ; 4,000V
•千万擦除/写周期保证
•数据保留和GT ; 200年
• 8引脚DIP ， 8引脚或14引脚SOIC封装
•可用于扩展级温度范围
- 商业（ C） ：
0
°
C至+70
°
C
- 工业级（I ） ：
-40
°
C至+ 85
°
C
封装类型
PDIP
A0
A1
A2
V
SS
1
24LC16B
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
SOIC
A0
A1
A2
V
SS
14-lead
SOIC
1
24LC16B
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
2
3
4
NC
A0
A1
NC
A2
V
SS
NC
1
2
14
13
NC
V
CC
WP
NC
SCL
SDA
NC
24LC16B
3
4
5
6
7
12
11
10
9
8
描述
Microchip的24LC16B是一个16K位
电可擦除的PROM 。该设备被组织
作为具有2线8块的256 ×8位的存储
串行接口。低电压设计允许操作
下降到2.5伏的待机和工作电流
仅5
µ
A和分别为1毫安。该24LC16B还
具有最多16个字节数据的页面写能力。
该24LC16B可在标准的8引脚DIP和
8引脚和14引脚表面贴装SOIC封装
老少皆宜。
框图
WP
高压发生器
I / O
控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
页锁存器
SDA
SCL
YDEC
V
CC
V
SS
SENSE AMP
R / W控制
I
2
C是飞利浦公司的商标。
©
1996年Microchip的科技公司
DS20070G第1页
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
