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型号: 93LC86
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内容描述: 8K / 16K 2.5V Microwire串行EEPROM [8K/16K 2.5V Microwire Serial EEPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 22 页 / 215 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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93LC76/86
3.0
3.1
设备操作
3.4
清除所有( ERAL )
指令输出的串行数据
在DO引脚寻址的存储器位置。一个虚拟
零位之前的16位( x16组织)或8位
( x8组织的)输出字符串。的输出数据位将
切换在CLK的上升沿,并且是稳定的
在指定的时间延迟(T后
PD
) 。连续读取是
可能的,当CS保持高时钟转换
继续。内存地址指针
自动递增,连续输出数据。
ERAL
指令将擦除整个存储器阵列
到逻辑“1”状态。 ERAL周期是相同的
擦除周期除了不同的操作码。该
ERAL周期完全自定时的开始
上的最后一个地址位( A0)的上升沿。注意
低8或9的地址位“不关心”
位,这取决于选择的16倍或x8模式的。顺时针
荷兰国际集团CLK引脚是没有必要的设备有后
进入自动时钟模式。该
ERAL
指令
确保在V
CC
= + 4.5V至+ 6.0V 。
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS为高电平。就绪/忙状态会
直到下一个起始位是显示在DO引脚
只要CS为高电平接收。使CS为低电平意志
将设备置于待机模式,并导致DO
引脚进入高阻抗状态。 DO引脚为逻辑“ 0 ”
表明编程仍在进行中。在DO
逻辑“1”,表明整个装置已
删除并准备执行下一条指令。
ERAL周期需要毫秒最多15个( 8毫秒典型值) 。
3.2
抹去
抹去
指令强制的所有数据位
指定地址到逻辑“1”状态。的自定时
编程周期的上升沿开始
CLK作为最后的地址位( A0 )被移入。在这
至此, CLK , CS和DI输入变得“无关” 。
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS为高电平。就绪/忙状态会
直到下一个起始位是显示在DO引脚
只要CS为高电平接收。使CS为低电平意志
将设备置于待机模式,并导致DO
引脚进入高阻抗状态。 DO引脚为逻辑“ 0 ”
表明编程仍在进行中。在DO
逻辑“ 1”表示在特定网络连接编寄存器
地址已被删除,设备准备就绪
另一个指令。
擦除周期需要每个字(典型值) 3毫秒。
3.5
写入所有( WRAL )
3.3
指令之后是16比特(或8个
数据的位)将被写入到指定的地址。
自定时编程周期的开始
上升CLK的边缘的最后一个数据位( D0 )的时钟
英寸此时,在CLK , CS和DI输入成为
“无关” 。
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS为高电平。就绪/忙状态会
直到下一个起始位是显示在DO引脚
只要CS为高电平接收。使CS为低电平意志
将设备置于待机模式,并导致DO
引脚进入高阻抗状态。 DO引脚为逻辑“ 0 ”
表明编程仍在进行中。在DO
逻辑“ 1”表示在特定网络连接编寄存器
地址已经写入和设备准备就绪
另一个指令。
写周期需要每个字(典型值) 3毫秒。
WRAL
指令将写入整个存储器阵列
在命令中的数据特定网络版。该WRAL
周期完全自定时的,开始的
最后一个地址位( A0 )的上升沿。需要注意的是
最低8或9的地址位“无关”
根据选择X16或X8模式。的时钟
在CLK引脚是没有必要的设备有后
进入自动时钟模式。该WRAL命令
不包括自动ERAL周期为设备。
因此,该
WRAL
指令不需要
ERAL
指令但芯片必须处于EWEN
状态。该
WRAL
指令确保在Vcc = 4.5V +
为+ 6.0V 。
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS为高电平。就绪/忙状态会
直到下一个起始位是显示在DO引脚
只要CS为高电平接收。使CS为低电平意志
将设备置于待机模式,并导致DO
引脚进入高阻抗状态。 DO引脚为逻辑“ 0 ”
表明编程仍在进行中。在DO
逻辑“1”,表明整个装置已
编写并准备执行下一条指令。
该WRAL周期为30 ms以下( 16毫秒
典型值) 。
2010 Microchip的技术公司
DS21131F第7页