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TC426EOA 参数 Datasheet PDF下载

TC426EOA图片预览
型号: TC426EOA
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内容描述: 1.5A双高速功率MOSFET驱动器 [1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers]
分类和应用: 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
文件页数/大小: 16 页 / 462 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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TC426/TC427/TC428
4.0
注意:
典型特征
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。这里所列出的性能特点是
没有测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
上升和下降时间与
电源电压
70
60
50
时间(纳秒)
40
30
20
10
延迟时间与电源电压
90
80
DELAY TIME ( NS )
70
60
50
40
30
上升和下降时间与
温度
40
35
C
L
= 1000pF的
T
A
= +25°C
C
L
= 1000pF的
T
A
= +25°C
t
D2
时间(纳秒)
C
L
= 1000pF的
V
DD
= 18V
t
R
30
25
t
F
20
15
t
R
t
F
t
D1
10
0
5
10
15
电源电压( V)
20
0
5
10
15
电源电压( V)
20
0
-25
0
25
50
75 100 125 150
温度(
°
C)
延迟时间与温度的关系
100
90
80
电源电流与
容性负载
1K
70
电源电流(mA )
上升和下降时间与
容性负载
T
A
= +25°C
V
DD
= 18V
100
C
L
= 1000pF的
V
DD
= 18V
t
D2
60
T
A
= +25°C
V
DD
= 18V
400kHz
t
R
DELAY TIME ( NS )
80
70
60
50
40
30
-25
时间(纳秒)
50
40
30
20
10
0
200kHz
t
F
10
t
D1
20kHz
1
10
100
1000
容性负载(PF )
10K
0
25
75 100 125 150
50
温度(
°
C)
10
100
1000
容性负载(PF )
10K
电源电流与频率的关系
30
2.20
高输出电压对比
1.20
低输出电压对比
T
A
= +25°C
输出电压(V)
T
A
= +25°C
C
L
= 1000pF的
电源电流(mA )
V
DD
= 18V
1.76
V
DD
V
OUT
(V)
T
A
= +25°C
0.96
V
DD
= 5V
20
V
DD
= 8V
1.32
10V
0.72
10V
13V
0.88
0.48
10
5V
18V
0.44
15V
0.24
0
1
10
100
频率(kHz )
1000
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
灌电流(毫安)
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
当前SUNK (毫安)
DS21415B第8页
2002年Microchip的科技公司