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型号: TC4427COA
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内容描述: 1.5A双高速功率MOSFET驱动器 [1.5A DUAL HIGH-SPEED POWER MOSFET DRIVERS]
分类和应用: 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管PC
文件页数/大小: 9 页 / 69 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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1.5A双高速功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压,单位为A或B中。 (V
DD
+ 0.3V )至( GND - 5.0V )
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP ř
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP ř
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP ř
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP ř
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC ř
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC ř
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
销刀豆网络gurations
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
Ë版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
封装功耗(T
A
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2
7
8 NC
7 OUT A
TC4426
6 V
DD
5 OUT B
TC4427
6 VDD
5 OUT B
TC4428
6 VDD
5 OUT B
2,4
7,5
2,4
7,5
4
5
反相
NC - 无内部连接
注意:
SOIC引脚排列完全相同畅游。
同相
迪FF erential
电气特性:
T
A
= + 25 ℃, 4.5V
V
DD
18V,除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
参数
逻辑1,高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
测试条件
2.4
–1
V
DD
– 0.025
> 0.5
典型值
7
1.5
最大
0.8
1
0.025
10
单位
V
V
µA
V
V
A
A
0V
V
IN
V
DD
V
DD
= 18V ,我
O
= 10毫安
占空比
2%, t
30µsec
占空比
2%
t
30
微秒
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入)
2
开关时间
(注1 )
t
R
上升时间
t
F
下降时间
t
D1
延迟时间
t
D2
延迟时间
电源
I
S
电源电流
19
19
20
40
30
30
30
50
4.5
0.4
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
注意:
1.切换的时间由设计保证。
TC4426/7/8-8
10/21/96
©2001 Microchip的技术公司
DS21422A