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04M0图片预览
型号: 04M0
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内容描述: 100V 300毫安单片二极管阵列 [100V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 1 页 / 20 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
   
04M0
一个Microsemi的公司
580圣喜羊羊
水城, MA 02472
电话: 617-924-9280
传真: 617-924-1235
DIE规格
100V 300毫安
单片二极管阵列
5
产品特点:
个人等效二极管1N4148 TO
VF比赛进行到5毫伏在10mA
超高速开关
QUAD查出二极管
C
C
.049"
绝对最大额定值:
符号
参数
极限
100
300
500
-65到+150
-65到+200
单位
VDC
MADC
MADC
°C
°C
VBR (R) - * 1 * 2反向击穿电压
IO
*1
连续正向电流
IFSM
* 1峰值浪涌电流( TP = 1/120 S)
顶部
工作结温范围
TSTG
存储温度范围
注1 :每个二极管
注2 :脉冲: PW = 100ms的最大值;占空比< 20 %
C
C
.023"
A
A
A
A
电气特性(每二极管) @ 25 ° C除非另有
特定网络版
符号参数
条件
最大
BV1
BV2
Vf1
IR1
IR2
Ct
TFR
TRR
VF5
注1 :
击穿电压
IR = 100uAdc
击穿电压
IR = 5uAdc
正向电压
如果= 100mAdc * 1
反向电流
VR = 40 VDC
反向电流
VR = 20伏直流
电容(引脚对引脚)
VR = 0伏; F = 1 MHz的
正向恢复时间
IF = 100mAdc
反向恢复时间
IF = IR = 10mAdc , IRR = 1 MADC ,RL = 100欧姆
正向电压匹配
IF = 10毫安
脉冲: PW = 300US +/- 50微秒,占空比< 2 % ,之后前沿90us
100
75
1
0.1
25
4.0
15
5
5
单位
VDC
uAdc
NADC
pF
ns
ns
mV
封装选项:
W:晶片( 100 %探测)
(样品探测)
D:
芯片(华夫格包)
金属化选项:
标准:铝顶
(无短跑# )
U:晶圆
B:芯片(瓶)
处理选项:
标准:能够JANTXV应用
(没有后缀)
后缀为C:
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订购信息
零件编号: 04M0_ _- _
第一个后缀字母:包装选项
第二个后缀字母:处理选项
短跑# :金属化选项
/金背面
Sertech保留随时更改产品设计,规格或其他合适的
在不事先通知的信息。
MSC1023.PDF冯 - 98年11月25日