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2N1613 参数 Datasheet PDF下载

2N1613图片预览
型号: 2N1613
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内容描述: NPN小功率硅晶体管 [NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 60 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N1613的Datasheet PDF文件第2页  
技术参数
NPN小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 181分之19500
器件
2N718A
2N1613
2N1613L
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= +25
0
C
(1)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
30
75
7.0
500
0.5
0.8
1.8
3.0
-55到+175
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
的TO- 18 (TO- 206AA ) *
2N718A
2N718A
2N1613 ,L
0 (2)
@ T
C
= +25 C
2N718A
2N1613 ,L
操作&存储结温范围
P
T
W
T
J
,
T
英镑
符号
0
C
热特性
特征
热阻,结到外壳
单位
0
2N718A
97
C / W
R
θ
JC
2N1613 ,L
58
1 )减额线性4.57毫瓦/
0
下2N1613 , L和2.85毫瓦/
0
下2N718A对于T
A
> +25
0
C
2 )线性降额17.2毫瓦/
0
下2N1613 , L和10.3毫瓦/
0
下2N718A对于T
C
> +25
0
C
的TO- 39 (TO- 205AD ) *
2N1613
TO-5*
2N1613L
*请参阅附录A包
概要
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CER
I
CBO
I
EBO
分钟。
马克斯。
单位
VDC
VDC
10
10
μAdc
μAdc
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30 MADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 MADC ,R
BE
= 10
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 60 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
30
50
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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