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2N3700 参数 Datasheet PDF下载

2N3700图片预览
型号: 2N3700
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内容描述: NPN双极型晶体管 [NPN BIPOLAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体双极型晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 67 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N3700的Datasheet PDF文件第1页  
2N3700
电气参数(T
A
@ 25 ° C除非另有说明)
°
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 30 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100
μAdc ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 90伏直流,我
E
= 0)
o
(V
CB
= 90伏直流,我
E
= 0, T
A
= + 150 C
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0伏,我
C
= 0)
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10伏)(1)
(I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 10伏)(1)
o
(I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 10 VDC ,T
C
= -55 C)(1)
(I
C
= 500 MADC ,V
CE
= 10伏)(1)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
集电极 - 发射极饱和电压( 1 )
(I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
基射极饱和电压( 1 )
(I
C
= 150 MADC ,我
B
15 MADC )
小信号短路正向电流传输比
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 20兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0时,在100kHz < ˚F < 1MHz的)
输入电容
(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0时,在100kHz < ˚F < 1MHz的)
小信号电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 5.0伏, F = 1.0兆赫)
集电极基时间常数
(I
E
= 10 MADC ,V
CB
= 10 VDC , F = 79.8兆赫)
噪声系数
符号
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
--
--
I
EBO
--
h
FE
50
90
100
40
50
15
V
CE ( SAT )
--
--
V
BE ( SAT )
--
/h
FE /
5
C
敖包
--
C
IBO
--
h
fe
80
rb'C
C
400
NF
--
4
dB
400
ps
60
--
12
pf
20
pf
1.1
0.2
0.5
VDC
200
--
300
--
200
--
VDC
10
--
0.01
10
NADC
分钟。
80
140
7.0
典型值。
马克斯。
--
--
--
单位
VDC
VDC
VDC
μAdc
(I
C
= 100 uAdc ,V
CE
= 10 VDC , RG = 1.0千欧, F = 200Hz时)
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
1.0%.
数据表# MSCO279A 97年5月23日