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2N5038 参数 Datasheet PDF下载

2N5038图片预览
型号: 2N5038
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内容描述: NPN大功率硅晶体管 [NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管高功率电源
文件页数/大小: 2 页 / 59 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N5038的Datasheet PDF文件第2页  
技术参数
NPN大功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-四百三十九分之一万九千五
器件
2N5038
2N5039
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功率耗散@ T
C
= +25
0
C
(1)
工作&存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
2N5038
90
150
2N5039
75
125
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
0
7.0
5.0
20
140
-65到+200
马克斯。
1.25
C
热特性
特征
符号
热阻,结到外壳
R
θ
JC
0
0
1 )线性降容800毫瓦/ C对于T
C
> + 25℃
单位
0
C / W
TO-3*
(TO-204AA)
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
A
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 25 MADC
集电极 - 基极截止电流
V
CE
= 150伏
V
CE
= 125 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CE
= 70伏直流
V
CE
= 55伏直流
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
集电极 - 发射极截止电流
V
BE
= -1.5伏V
CE
= 100 VDC
V
BE
= -1.5伏V
CE
= 85伏直流
2N5038
2N5039
V
( BR )
首席执行官
V
( BR )
EBO
2N5038
2N5039
2N5038
2N5039
I
CBO
90
75
7.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
5.0
5.0
VDC
VDC
μAdc
I
首席执行官
I
EBO
μAdc
μAdc
μAdc
2N5038
2N5039
I
CEX
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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