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2N6547 参数 Datasheet PDF下载

2N6547图片预览
型号: 2N6547
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内容描述: NPN功率硅晶体管 [NPN POWER SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 59 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N6547的Datasheet PDF文件第1页  
2N6546 , 2N6547 JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 1 ADC ; V
CE
= 2 VDC
I
C
= 5 ADC ; V
CE
= 2 VDC
I
C
= 10位ADC ; V
CE
= 2 VDC
基极 - 发射极饱和电压
I
B
= 2.0 ADC ;我
C
= 10位ADC
集电极 - 发射极饱和电压
I
B
= 2.0 ADC ;我
C
= 10位ADC
I
B
= 3.0 ADC ;我
C
= 15 ADC
h
FE
15
12
6
60
VDC
VDC
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
1.6
1.5
5.0
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 0.5 ADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1兆赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0 , 0.1兆赫
f
1.0兆赫
h
fe
6.0
C
敖包
30
500
1.0
4.7
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 250 VDC ;我
C
= 10位ADC ;我
B1
= I
B2
= 2 ADC
打开-O FF时间
V
CC
= 250 VDC ;我
C
= 10位ADC ;我
B1
= I
B2
= 2 ADC
t
on
µs
µs
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
℃;吨
p
= 1秒; 1个周期(参见/ 525的19500 MIL -PRF -图3 )
测试1
V
CE
= 11.7伏;我
C
= 15 ADC
测试2
V
CE
= 20伏直流;我
C
= 8.75 ADC
测试3
V
CE
= 250 VDC ;我
C
= 45 MADC
2N6546
V
CE
= 350伏;我
C
= 30 MADC
2N6547
非钳位感性负载
T
C
= +25
0
℃;占空比
10%; R
S
= 0.1
Ω;
t
r
= t
f
500
ηs
(请参阅/ 525的19500 MIL -PRF-图4 )
测试1
T
p
= 5毫秒; (各不相同,以获得我
C
); R
BB1
= 15
Ω;
V
BB
1 = 38.5伏; ř
BB2
= 50
Ω;
V
BB2
= -4伏; V
CC
= 20伏直流; IC = 15 ADC ; L = 10
µH
测试2
T
p
= 5毫秒; (各不相同,以获得我
C
); R
BB1
= 15
Ω;
V
BB
1 = 38.5伏; ř
BB2
= 50
Ω;
V
BB2
= -4伏; V
CC
= 20伏直流; IC = 100 MADC ; L = 1毫亨
钳位感性负载
T
A
= +25
0
℃;占空比
5%; T
p
= 1.5毫秒; (各不相同,以获得我
C
); V
CC
= 20伏直流;我
C
= 8 ADC ; L = 180
µH
(请参阅/ 525的19500 MIL -PRF -图5 )
钳位电压= 350伏
2N6546
钳位电压= 450伏
2N6547
3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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