SRDA70-4
转向二极管TVS阵列
斯科茨代尔区划
描述
这些低电容二极管阵列是多方面的，离散的，孤立的结
通过平面工艺，用作制造并安装在一个SO-8封装
控向二极管保护多达四个I / O端口的ESD， EFT ，或激增
他们要么引导至电源线或的正极侧接地
（参见原理图，第2页） 。外部TVS二极管可能的加
正电源线和接地，以防止过电压对电源轨。
这些阵列提供集成电路的许多优点，如高
密度封装，并提高可靠性。这是较少的拾取的结果和
地方操作，更小的体积，更小的重量，消除各种
离散的软件包可能不如用户在PC板上安装型。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
TVS阵列
TM
系列
WWW .
Microsemi的
.C
OM
特点
•
•
•
•
二极管阵列来保护四个I / O线
符合IEC 61000-4-2 ， IEC 61000-4-4浪涌保护
和IEC61000-4-5 （ 1千伏， 24一个在8/20微秒）
UL 94V- 0可燃性分类
低电容高速接口
•
•
•
•
应用/优势
数据线路保护
闭锁保护
RS - 232 & RS - 422网络接口
计算机I / O端口
局域网
•
最大额定值
•
•
•
•
•
•
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 150°C
峰值脉冲功率： 500瓦（ 8/20微秒，图1 ）
峰值脉冲电流：24额定电流（ 8/20 μs的，图1 ）
脉冲重复频率： < 0.01 ％
引线焊接温度： 260℃ ，10秒
•
•
•
•
•
•
机械及包装
成型SO- 8表面贴装
重0.066克（近似值）
标志：标志，设备标识代码，日期代码
针＃1点定义在封装顶部
每EIA标准481磁带&卷轴
13英寸卷筒; 2500件（可选）
•
运营商管; 95件（ STANDARD ）
电气特性
PEAK
反向
电压
V
RWM
击穿
电压
V
BR
@50
µA
伏
民
85
前锋
夹紧
电压
V
FC
@ 1安培
（图2）
伏
最大
1.3
前锋
夹紧
电压
V
FC
@ 10安培
（图2）
伏
最大
3.3
反向
泄漏
当前
I
R
@ V
RWM
µA
最大
5
电容
中（f = 1 MHz）的
C
@ 0V
我间/ O
引脚和地
pF
最大
15
电容
中（f = 1 MHz）的
C
@ 0V
部分
数
设备
记号
SRDA70-4
DA70-4
伏
最大
SRDA70-4
SM70-4
70
间
I / O引脚
pF
典型值
4
版权
2004
2004年8月26日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
