欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MJ2955 参数 Datasheet PDF下载

MJ2955图片预览
型号: MJ2955
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 15安培功率晶体管互补硅60伏115瓦 [15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 134 K
品牌: MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
 浏览型号MJ2955的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJ2955的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJ2955的Datasheet PDF文件第4页  
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by 2N3055/D
Complementary Silicon Power
Transistors
. . . designed for general–purpose switching and amplifier applications.
DC Current Gain — hFE = 20 – 70 @ IC = 4 Adc
Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
Excellent Safe Operating Area
MAXIMUM RATINGS
2N3055 *
PNP
MJ2955 *
*Motorola Preferred Device
NPN
15 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
60 VOLTS
115 WATTS
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
ÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Rating
Symbol
VCEO
VCER
VCB
VEB
IC
IB
Value
60
70
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
100
7
Collector Current — Continuous
Base Current
15
7
Total Power Dissipation @ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
PD
115
0.657
Watts
W/
_
C
Operating and Storage Junction Temperature
Range
TJ, Tstg
– 65 to + 200
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
θJC
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
1.52
_
C/W
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
175
200
Figure 1. Power Derating
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
1