MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by TIP35A/D
Complementary Silicon
High-Power Transistors
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications.
•
•
•
•
25 A Collector Current
Low Leakage Current — ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
Excellent DC Gain — hFE = 40 Typ @ 15 A
High Current Gain Bandwidth Product —
h
fe
= 3.0 min @ IC = 1.0 A,
f = 1.0 MHz
TIP35A
TIP35B*
TIP35C*
TIP36A
TIP36B*
TIP36C*
*Motorola Preferred Device
NPN
PNP
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î ÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
TIP35A
TIP36A
60 V
60 V
TIP35B
TIP36B
80 V
80 V
5.0
25
40
TIP35C
TIP36C
100 V
100 V
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Peak (1)
Base Current — Continuous
Total Power Dissipation
@ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
5.0
PD
125
1.0
Watts
W/
_
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Unclamped Inductive Load
TJ, Tstg
ESB
– 65 to + 150
90
25 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60 – 100 VOLTS
125 WATTS
_
C
mJ
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
θJC
R
θJA
Max
1.0
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
_
C/W
_
C/W
CASE 340D–02
TO–218AC
Junction–To–Free–Air Thermal Resistance
(1) Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle
125
v
10%.
35.7
100
75
50
25
0
0
25
50
75
125
100
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
150
175
Figure 1. Power Derating
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
REV 1
©
Motorola, Inc. 1996
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
