[ ONSEMI ] NDF04N62ZG Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

N沟道功率MOSFET的620 V, 1.8 ?

N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

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NDF04N62ZG 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
NDF04N62ZG 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
620V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
19nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
535pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
28W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
50
其它名称
NDF04N62ZG-ND NDF04N62ZGOS

[ ONSEMI ] NDF05N50Z Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

N沟道功率MOSFET的500 V , 1.25 Ω

N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 Ω

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[ ONSEMI ] NDF05N50ZG Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

N沟道功率MOSFET的500 V , 1.25 Ω

N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 Ω

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[ ONSEMI ] NDF05N50ZG Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

N沟道功率MOSFET的500 V , 1.5欧姆

N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.5 Ohm

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[ ONSEMI ] NDF05N50ZH Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

N沟道功率MOSFET的500 V , 1.5欧姆

N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.5 Ohm

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[ FAIRCHILD ] NDF0610 Datasheet下载

厂商:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

FAIRCHILD

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

描述:

P沟道增强型场效应晶体管

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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[ TYSEMI ] NDF0610 Datasheet下载

厂商:

TY Semiconductor Co., Ltd

TYSEMI

TY Semiconductor Co., Ltd

描述:

SOT- 23 TO- 92

SOT-23 TO-92

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[ ONSEMI ] NDF06N60Z Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

NDP06N60Z

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NDF05N50ZG 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
NDF05N50ZG 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
28nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
632pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
50
其它名称
NDF05N50ZG-ND NDF05N50ZGOS

NDF05N50ZH 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
NDF05N50ZH 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
28nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
632pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
50
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • NDF04N62ZG
  • N沟道功率MOSFET的620 V, 1.8 ?
    N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

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