[ ONSEMI ] NSV1C200MZ4T1G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

100 V, 2.0 A ,低VCE ( sat)的PNP晶体管

100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

下载:
下载Datasheet文档资料

NSV1C200MZ4T1G 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
图片:
NSV1C200MZ4T1G 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
220mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
120 @ 500mA,2V
功率 - 最大值
800mW
频率 - 跃迁
120MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223
标准包装
1,000
其它名称
NSV1C200MZ4T1G-ND NSV1C200MZ4T1GOSTR

[ ONSEMI ] NSV1SS400T1G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

高速开关二极管

High-Speed Switching Diode

下载:
下载Datasheet文档资料

[ ONSEMI ] NSV40301MZ4T1G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

双极功率晶体管40 V , 3.0 A,低VCE (SAT)

Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat)

下载:
下载Datasheet文档资料

[ ONSEMI ] NSV45090JD Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

可调恒流调节器和LED驱动器

Adjustable Constant Current Regulator & LED Driver

下载:
下载Datasheet文档资料

[ ONSEMI ] NSV45090JDT4G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

可调恒流调节器和LED驱动器

Adjustable Constant Current Regulator & LED Driver

下载:
下载Datasheet文档资料

[ ONSEMI ] NSV60600MZ4T1G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

60 V , 6.0 A,低VCE ( sat)的PNP晶体管

60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

下载:
下载Datasheet文档资料

[ ONSEMI ] NSV60600MZ4T3G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

60 V , 6.0 A,低VCE ( sat)的PNP晶体管

60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

下载:
下载Datasheet文档资料

[ ONSEMI ] NSV60601MZ4T1G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

60 V , 6.0 A,低VCE ( sat)的NPN晶体管

60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

下载:
下载Datasheet文档资料

NSV1C200MZ4T1G 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
图片:
NSV1C200MZ4T1G 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
220mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
120 @ 500mA,2V
功率 - 最大值
800mW
频率 - 跃迁
120MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223
标准包装
1
其它名称
NSV1C200MZ4T1GOSCT

NSV1C200MZ4T1G 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
图片:
NSV1C200MZ4T1G 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
在售
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
220mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
120 @ 500mA,2V
功率 - 最大值
800mW
频率 - 跃迁
120MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223
标准包装
1
其它名称
NSV1C200MZ4T1GOSDKR
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • NSV1C200MZ4T1G
  • 100 V, 2.0 A ,低VCE ( sat)的PNP晶体管
    100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

  • ONSEMI
  • 总5页

NSV1C200MZ4T1G相关资料文章和技术文档