DS14C335
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
V
+
针
V
−
针
输入电压（ DIN ， SD ）
驱动器输出电压
接收器的输入电压
接收器输出电压
结温
存储温度范围
焊接温度
（焊接4秒。 ）
短路持续时间（D
OUT
)
-0.3V至+ 6V
(V
CC
-0.3V ）至+ 14V
+ 0.3V至-14V
-0.3V至+ 5.5V
+
（V + 0.3V ）到（Ⅴ
−
−0.3V)
±
25V
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
+150˚C
-65 ° C至+ 150°C
+260˚C
连续
最大封装功耗
@
+25˚C
SSOP封装MSA
1286毫瓦
减免MSA封装10.3毫瓦/ C以上+ 25°C
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
≥
2.0千伏
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
DC-DC转换器电容
(C1–C5)
经营自由空气温度（T
A
)
DS14C335
0
民
3.0
0.47
最大
3.6
单位
V
µF
+70
˚C
电气特性
（注2,3）
在推荐的操作条件下，差= 0.8V时，除非另有规定。
符号
V+
V−
I
CC
I
CX
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
正电源。
负电源
电源电流
关断电源
当前
高级别启用
电压
低电平使能
电压
高级别启用
当前
低电平使能
当前
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
低电平输入电流
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输出高短
短路电流
I
OS-
R
O
V
TH
输出低短
短路电流
输出电阻
输入高门槛
电压
−2V
≤
V
O
≤
+2V, V
CC
= GND = 0V
R1 - R5 ， SD = 0.8V
300
1.4
2.4
Ω
V
接收机特性
（注4 ）
V
O
= 0V, V
IN
= 2.0V （注7 ）
6
12.3
40
mA
V
O
= 0V, V
IN
= 0.8V （注7 ）
−40
2.0V
≤
V
IN
≤
5.5V
GND
≤
V
IN
≤
0.8V
R
L
= 3 kΩ
−1.0
+5.0
+7.1
−6.3
−16.5
−5.0
−8
2.0V
≤
V
IN
≤
5.5V
GND
≤
V
IN
≤
0.8V
−2.0
空载
C1–C5 = 0.47
µF
空载
R
L
= 3千欧， SD = V
CC
, 5.5V
SD
2.0
GND
0.8
+2.0
条件
D
IN
= 0.8V
D
IN
= 2.0V
民
典型值
+9.3
−9.0
11.5
1.0
20
10
最大
单位
V
V
mA
µA
V
V
µA
µA
设备特点
驱动器特性
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
I
OS +
D
IN
2.0
GND
0.8
+1.0
V
V
µA
µA
V
V
mA
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2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
