DS90C385/DS90C365
电气特性
符号
ICCTW
参数
变送器供电电流
最坏的情况下
DS90C365
变送器供电电流
（续）
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
条件
R
L
= 100Ω,
C
L
= 5 pF的，
最坏的情况下格局
（图1，图4）
R
L
= 100Ω,
C
L
= 5 pF的，
16灰度模式
（图3，图4）
F = 32.5兆赫
F = 40MHz的
F = 65 MHz的
F = 85 MHz的
F = 32.5兆赫
F = 40MHz的
F = 65 MHz的
F = 85 MHz的
民
典型值
28
29
34
39
26
27
32
36
10
最大
42
47
52
57
35
37
42
47
55
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
µA
ICCTG
变送器供电电流
16灰阶
DS90C365
ICCTZ
变送器供电电流
掉电
掉电=低
在三态驱动器输出下
掉电模式
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
典型值给出了V
CC
= 3.3V和T
A
= +25C.
注3 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。电压参考地，除非另有
指定（除V
OD
和
∆V
OD
).
注4 ：
V
OS
以前称为V
CM
.
推荐变送器输入特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
TCIT
TCIP
TCIH
TCIL
TXIT
TXCLK过渡时期
TXCLK期
TXCLK高时间
TXCLK低时间
口TxIN过渡时间
参数
民
1.0
11.76
0.35T
0.35T
1.5
T
0.5T
0.5T
典型值
最大
6.0
50
0.65T
0.65T
6.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
发射器的开关特性
在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
符号
LLHT
LHLT
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
TPPos0
TPPos1
TPPos2
TPPos3
TPPos4
TPPos5
TPPos6
参数
LVDS低到高的转变时间
LVDS高向低转换时间
对于第0位变送器输出脉冲位置
（图13,14 ）
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
对于第0位变送器输出脉冲位置
（图13,14 ）
对于第1位变送器输出脉冲位置
对于第2位变送器输出脉冲位置
对于第3位变送器输出脉冲位置
对于第4位变送器输出脉冲位置
对于第5位变送器输出脉冲位置
对于第6位变送器输出脉冲位置
F = 65 MHz的
F = 40MHz的
−0.25
3.32
6.89
10.46
14.04
17.61
21.18
−0.20
2.00
4.20
6.39
8.59
10.79
12.99
民
典型值
0.75
0.75
0
3.57
7.14
10.71
14.29
17.86
21.43
0
2.20
4.40
6.59
8.79
10.99
13.19
最大
1.5
1.5
0.25
3.82
7.39
10.96
14.54
18.11
21.68
0.20
2.40
4.60
6.79
8.99
11.19
13.39
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
www.national.com
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
