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DS90CR215MTD 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DS90CR215MTD
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内容描述: + 3.3V上升沿数据选通LVDS 21位通道链接 - 66 MHz的 [+3.3V Rising Edge Data Strobe LVDS 21-Bit Channel Link - 66 MHz]
分类和应用: 线路驱动器或接收器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
文件页数/大小: 17 页 / 736 K
品牌: NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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DS90CR215 / DS90CR216 + 3.3V上升沿数据选通LVDS 21位通道链接-66 MHz的
2005年8月
DS90CR215/DS90CR216
+ 3.3V上升沿数据选通LVDS 21位通道
链接 - 66 MHz的
概述
该发射器DS90CR215转换CMOS / TTL的21位
数据分成三个LVDS(低压差分信号)
数据流。锁相传输时钟在发送
有超过四分之一的LVDS链路的数据流并行。一切
输入数据的传输时钟的周期的21比特采样
并发送。该DS90CR216接收器将
LVDS数据流返回到的CMOS / TTL数据21位。在
的66兆赫的发射时钟频率,TTL数据的21位是
以每LVDS数据通道462 Mbps的速率发送。
使用一个66MHz的时钟,数据吞吐量是1.386 Gbit / s的
( 173兆字节/秒) 。
数据线的复用提供了大量
电缆降低。长距离并行单端总线
通常要求每有源信号地线(和有
非常有限的噪声抑制能力) 。因此,对于一个21比特宽
数据和一个时钟,多达44导体是必需的。同
通道链路芯片组少到9导体( 3个数据
对, 1个时钟对和至少一个接地)是
需要的。这提供了所需的电缆减少80 %
宽度,它提供了一个系统的成本节约,降低CON-
接器的物理尺寸和成本,并降低了屏蔽要求一
ments由于电缆“更小的外形。
21 CMOS / TTL输入,可支持多种信号
组合。例如, 5个4位的半字节加1控制
或2个9位(字节+奇偶校验)和3控制。
特点
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+ 3.3V单电源
芯片组( TX + Rx)的功耗
& LT ;
250毫瓦(典型值)
掉电模式(
& LT ;
0.5毫瓦总)
高达173兆字节/秒带宽
高达1.386 Gbps的数据吞吐量
窄总线减少了线缆的尺寸
290 mV的LVDS摆幅低EMI器件
+ 1V共模范围(约+ 1.2V )
PLL无需外部元件
薄型48引脚TSSOP封装
上升沿数据选通
兼容的TIA / EIA - 644 LVDS标准
ESD额定值
& GT ;
7千伏
工作温度: -40℃ 〜+ 85℃
方框图
DS90CR215
DS90CR216
01290901
01290927
订单号DS90CR215MTD
见NS包装数MTD48
订单号DS90CR216MTD
见NS包装数MTD48
三州
®
是美国国家半导体公司的注册商标。
©2005美国国家半导体公司
DS012909
www.national.com