LF198 / LF298 / LF398 ， LF198A / LF398A单片采样保持电路
2000年7月
LF198 / LF298 / LF398 ， LF198A / LF398A
单片采样保持电路
概述
该LF198 / LF298 / LF398是单片采样和保持
它采用BI -FET电路技术获得超高
直流精度与快速捕获信号和低下垂
率。经营作为一个单位增益跟随， DC增益精度
0.002 ％的典型和采集时间低至6 μs至
0.01％。双极型输入级来实现低失调
电压和宽的带宽。输入失调电压调整是accom-
plished用单针，并且不会降低输入偏移
漂移。宽的带宽允许的LF198被列入IN-
方1 MHz的运算放大器的反馈回路，而不必台站
相容性问题。 10输入阻抗
10
Ω
允许高
要使用的源阻抗不降低准确度。
P沟道结型FET的相结合，与双极型器件
在输出放大器，得到下垂速率低至5毫伏/分钟
用1 μF保持电容。 JFET的具有低得多的
噪音比MOS器件在以前的设计中使用的和做的
不会出现高温不稳定性。整体设计
保证无馈通从输入到输出，在保持
方式，即使对于输入信号等于电源电压。
特点
n
从操作
±
5V至
±
18V用品
n
小于10微秒获取时间
n
TTL ， PMOS ， CMOS兼容的逻辑输入
n
位于C 0.5 mV的典型保持步
h
= 0.01 µF
n
低输入失调
n
0.002 ％的增益精度
n
在保持模式下的低输出噪声
n
输入特性在保持模式不改变
n
样品或保持高电源抑制比
n
宽带宽
n
空间合格， JM38510
对LF198的逻辑输入完整的低差分输入
目前，允许直接连接到TTL ， PMOS和
CMOS 。差别阈限是1.4V 。该LF198将运行
从
±
5V至
±
18V电源。
一个“A”版本可从紧的电
特定连接的阳离子。
典型连接和性能曲线
采集时间
DS005692-32
DS005692-16
工作原理图
DS005692-1
©2000美国国家半导体公司
DS005692
www.national.com
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
