绝对最大额定值
（注1,3）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
偏置电压（V
BB
)
输入的电压， （Ⅴ
IN
)
存储温度范围， （T
英镑
)
焊接温度
（焊接，
＆ LT ;
10秒）
ESD容差，人体模型
+90V
+16V
0V至6V
-65 ° C至+ 150°C
300˚C
2千伏
机器型号
250V
工作范围
（注2 ）
V
CC
+ 60V至+ 85V
+ 8V至+ 15V
V
BB
+ 0V至+ 5V
V
IN
+ 15V至+ 75V
V
OUT
外壳温度
-20°C到+ 115℃
无散热器时，请勿操作的一部分。
电气特性
（见
图2
测试电路）
除非另有说明： V
CC
= +80V, V
BB
= +12V, V
IN
= +2.7 V
DC
, C
L
= 8 PF，输出= 40 V
PP
在1 MHz ，T
C
= 50˚C.
符号
I
CC
I
BB
V
OUT
A
V
∆A
V
LE
t
R
t
F
OS
参数
电源电流
偏置电流
直流输出电压
直流电压增益
增益匹配
线性误差
上升时间
下降时间
冲
条件
每通道，无输入信号，无
输出负载
三个通道
没有交流输入信号，V
IN
= 1.2V
没有交流输入信号
（注4 ） ，无交流输入信号
（注4,5） ，无交流输入信号
（注6） ，10％至90％的
（注6） ， 90 ％至10％
（注6 ）
62
−12
LM2439
民
典型值
8
12
65
−14
1.0
8
9
11
1
68
−16
dB
%
ns
ns
%
最大
单位
mA
mA
V
DC
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
注2 ：
工作额定值表明该设备可以工作，但不保证特定的性能极限。为保证规范和
测试条件，请参阅电气特性。保证规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能
改变时，该设备未列出的测试条件下操作。
注3 ：
所有电压相对于GND测量，除非另有规定ED 。
注4 ：
计算出的值从每个通道上的电压增益测试。
注5 ：
线性误差是从V直流增益的变化
IN
= 1.0V至V
IN
= 4.5V.
注6 ：
输入来自信号发生器：吨
r
, t
f
＆ LT ;
1纳秒。
AC测试电路
DS100988-3
注意：
8 pF负载包括寄生电容。
图2.测试电路（单声道）
图2
示出了一个典型的测试电路为LM2439的评价。该电路被设计成允许所述LM2439的测试在一个50Ω
环境，而无需使用昂贵的FET探针。这两个2490Ω电阻形成一个200 ： 1的分压器与50Ω电阻器和
示波器。测试点包括易于使用的示波器探头。补偿电容器用于compen-
沙爹两个2490Ω电阻器的寄生电容，实现平坦的频率响应。
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
